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电气特性
表17. ADC特性（V
REFH
= V
DDAD
, V
REFL
= V
SSAD
）（续）
C
特征
转变
时间（包括
采样时间）
采样时间
长采样（ ADLSMP = 1 ）
D
温度传感器
坡
温度传感器
电压
–40
°C–
25
°C
25
°C–
85
°C
25
°C
12位模式下， 3.6> V
DDAD
> 2.7
总
未经调整
错误
12位模式下， 2.7> V
DDAD
＆ GT ;
1.8V
10位模式
8位模式
12位模式
迪FF erential
非线性
10位模式
3
8位模式
3
12位模式
积分
非线性
10位模式
8位模式
12位模式
零刻度
错误
10位模式
8位模式
12位模式
满量程误差
10位模式
8位模式
12位模式
D
量化
错误
10位模式
8位模式
12位模式
D
输入漏
错误
10位模式
8位模式
E
IL
E
Q
E
FS
E
ZS
INL
DNL
m
—
V
TEMP25
—
—
—
E
TUE
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
±1
±0.5
±1.0
±0.5
±0.3
±1.5
±0.5
±0.3
±1.5
±0.5
±0.5
±1.0
±0.5
±0.5
-1到0
—
—
±2
±0.2
±0.1
±2.5
±1.0
-1.5 2.0
±1.0
±0.5
-2.5
2.75
±1.0
±0.5
±2.5
±1.5
±0.5
-3.5 1.0
±1
±0.5
—
±0.5
±0.5
—
±4
±1.2
最低位
2
条件
短样本（ ADLSMP = 0）
长采样（ ADLSMP = 1 ）
短样本（ ADLSMP = 0）
符号
民
—
典型值
1
20
40
3.5
23.5
1.646
1.769
701.2
-1 3
-1 3
最大
—
—
—
—
—
单位
ADCK
周期
ADCK
周期
评论
SEE
参考
手册
转变
时间
差异
P
t
ADC
—
—
P
t
ADS
—
—
毫伏/°C的
—
—
-2.5 5.5
-3.0 6.5
包括
量化
mV
D
T
T
P
P
T
P
P
T
T
T
T
P
P
T
P
P
最低位
2
最低位
2
最低位
2
最低位
2
V
ADIN
=
V
SSAD
最低位
2
V
ADIN
=
V
DDAD
最低位
2
PAD
泄漏
4
*
R
AS
MC9S08QE32系列单片机的数据手册，第6
28
飞思卡尔半导体公司
