第4章存储器映射和寄存器德网络nition
对于M68HC05MCU兼容， HCS08初始化堆栈指针一直到0x00FF 。在
MC9S08QD4系列，它通常是最好的堆栈指针重新初始化到RAM的顶部，这样的直接
页的RAM可用于频繁访问的RAM变量和位寻址的程序变量。
在你的复位初始化例程（其中RamLast等于包括以下两个指令序列
在飞思卡尔半导体提供的RAM的最高地址等同于网络文件） 。
LDHX
TXS
#RamLast+1
;一点一点过去RAM
; SP<- （ H：X -1）的
当启用了安全性， RAM被认为是一个安全的内存资源，不能访问过
BDM或通过代码从非安全存储器中执行。看
第4.6节， “安全”
为详细
安全特征的描述。
4.5
FL灰
该闪存主要用于存储程序。在线编程允许操作
程序被加载到应用程序产品的最终组装后的闪速存储器。这是可能
编程通过单线背景调试接口对整个阵列。由于没有特殊
需要的电压闪存擦除和编程操作，在应用程序也
可以通过其他软件控制的通信路径。为进行更详细的讨论
在电路和在应用编程，请参考
HCS08系列参考手册，第一卷，
飞思卡尔半导体文件编号HCS08RMV1 。
4.5.1
特点
FLASH存储器的特性包括：
FLASH大小
- MC9S08QD4 / S9S08QD4 ： 4096个字节（8页的每个512字节）
- MC9S08QD2 / S9S08QD2 ： 2048个字节（4页的每个512字节）
单电源编程和擦除
命令接口，实现快速编程和擦除操作
高达100,000编程/擦除的典型电压和温度循环
灵活的块保护
Flash和RAM的安全特性
自动低频省电读访问
4.5.2
编程和擦除时间
在任何编程或擦除命令可以接受， Flash时钟分频寄存器（ FCDIV ）必须
写入设置了闪光灯模块的频率的内部时钟（六
FCLK
） 150 kHz和200 kHz之间的
（见
4.7.1节， “ FLASH时钟分频寄存器（ FCDIV ） ”。 ）
该寄存器只能写入一次，所以
通常是在复位初始化完成此写。 FCDIV不能被写入，如果访问错误
FL AG， FACCERR在FSTAT ，设置。用户必须确保FACCERR写之前没有设置
FCDIV寄存器。所得到的时钟的一个周期（1 /女
FCLK
）用于通过命令处理器时间
MC9S08QD4系列MCU数据手册，第5
飞思卡尔半导体公司
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