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附录A电气特性
A.4
ESD保护和闭锁抗扰度
虽然不受静电放电（ESD）的损害是在这些设备上比在早期更常见
CMOS电路，正常的处理措施必须用于避免暴露在静电放电。
对外贸易资质科幻阳离子执行测试，以确保这些设备能够承受暴露于合理的水平
静而不遭受任何永久性的伤害。
所有的ESD测试符合AEC -Q100压力测试QUALI网络阳离子的汽车级
集成电路。在对人体进行设备认证的ESD应力
模型（HBM ），机器模型（MM）和所述充电装置模型（ CDM）的。
一个设备被定义为失败，如果暴露在ESD脉冲后，该设备不再符合设备
特定连接的阳离子。完整的直流参数测试和功能测试是按照适用的设备执行
特定网络阳离子在室温下通过高温，除非特定网络连接的设备，否则编
特定连接的阳离子。
表A - 3 。 ESD和闩锁测试条件
模型
人的
体
描述
串联电阻
存储容量
每个引脚的脉冲数
符号
R1
C
—
R1
C
—
价值
1500
100
3
0
200
3
– 2.5
7.5
单位
Ω
pF
机
串联电阻
存储容量
每个引脚的脉冲数
Ω
pF
闭锁
最小输入电压限制
最大输入电压限制
V
V
表A - 4 。 ESD和闩锁保护特性
号
1
2
3
4
1
等级
1
人体模型（ HBM ）
机器模型（ MM ）
充电设备模型（ CDM）
闩锁电流在T
A
= 85°C
符号
V
HBM
V
MM
V
清洁发展机制
I
LAT
民
±
2000
±
200
±
500
±
100
最大
—
—
—
—
单位
V
V
V
mA
参数设计上的特征与典型设备的小样本量达到
典型条件下，除非另有说明。
A.5
DC特性
本节包括有关电源要求和I / O引脚特性的信息。
MC9S08QD4系列MCU数据手册，第6
飞思卡尔半导体公司
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