第4章存储器映射和寄存器德网络nition
编程和擦除脉冲。这些定时脉冲的整数倍时所使用的指令的处理器来
完成编程或擦除命令。
表4-5
显示编程和擦除时间。总线时钟频率和FCDIV决定的频率
FCLK的（F
FCLK
） 。时间为FCLK的一个周期为t
FCLK
= 1/f
FCLK
。的时间被表示为一个数
FCLK循环和一个绝对时间的情况下，其中t
FCLK
= 5
μs.
编程和擦除时间
显示包括开销命令状态机和启用和禁用编程和擦除
电压。
表4-5 。编程和擦除时间
参数
字节编程
字节的程序（突发）
页擦除
整体擦除
1
FCLK循环
9
4
4000
20,000
如果时间FCLK = 200千赫
45
μs
20
μs
1
20毫秒
100毫秒
不包括开始/结束开销
4.5.3
编程和擦除命令执行
中列出的步骤，用于执行任何命令如下。 FCDIV寄存器必须被初始化，
任何错误佛罗里达州开始执行命令之前AGS清除。命令执行的步骤是：
1.写一个数据值在闪存阵列的地址。这个写入的地址和数据信息
被锁存到闪存接口。这是写在任何命令序列要求的第一步。为
擦除和空白检查命令，这些数据的值是不重要的。对于页擦除命令，
该地址可以是在闪光灯的512字节的页的任何地址将被擦除。对于整体擦除和空白
检查命令，地址可以在闪存存储器中的任何地址。整个512字节页
是闪光灯的最小的块，可以擦除。
记
最后一页的闪光灯一团或页面擦除操作会擦除厂
可编程内部参考时钟调整值。
成功后不要编写在闪存中的任何字节不止一次
擦除操作。在一个字节是已经再编程的位
编程是不是没有先删除该页面允许在其中
字节位于或整体擦除闪存。程序设计
不先擦除会影响存储在闪存中的数据。
2.编写到FCMD所需的命令的命令代码。该网络已经有效的命令是空白
查看（ 0×05 ） ，字节编程（ 0x20的） ，突发编程（ 0x25 ） ，页擦除（ 0X40 ） ，和整体擦除
（ ×41 ） 。命令代码被锁存到命令缓冲区。
3.写1到FSTAT中的FCBEF位以清除FCBEF并发起命令（包括其
地址和数据信息）。
的部分命令序列可以通过写一个0的写入后到FCBEF中的任何时间中止
存储器阵列和编写清除FCBEF和完整命令1日前。
MC9S08QD4系列MCU数据手册，第6
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飞思卡尔半导体公司
