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附录A电气特性
表A - 10 。 ADC特性（续）
特征
零刻度误差
满量程误差
量化误差
1
2
条件
10位模式
8位模式
10位模式
8位模式
10位模式
SYMB
E
ZS
E
FS
E
Q
民
0
0
0
0
—
典型值
1
±1.5
±0.5
±1.0
±0.5
—
最大
±3.1
±0.7
±1.5
±0.5
±0.5
单位
最低位
最低位
最低位
评论
V
ADIN
= V
SSA
V
ADIN
= V
DDA
8位模式
不截断
典型值假设V
DDAD
= 5.0 V ，温度= 25 ° C，F
ADCK
= 1.0兆赫，除非另有说明。典型的值是参考
只，未在生产测试。
为4 MHz ，最大频率，使用比例较低的源阻抗。
A.10
FLASH特定网络阳离子
本节提供有关编程/擦除时间和程序擦除耐力的FLASH细节
内存。
编程和擦除操作不需要比普通V以外的任何特殊电源
DD
供应量。
有关项目的详细信息/擦除操作，请参阅内存部分。
表A- 11 。闪存特性
特征
电源电压编程/擦除
-40_C到125_C
电源电压为读操作
内部FCLK频率
1
内部FCLK周期（1 / FCLK ）
字节编程时间（任意位置）
(2)
字节编程时间（突发模式）
(2)
页擦除时间
2
整体擦除时间
(2)
编程/擦除次数
3
T
L
给T
H
= -40 ° C至+ 125°C
中T = 25℃
数据保留
4
1
2
3
4
符号
V
程序/擦除
V
读
f
FCLK
t
fcyc
t
PROG
t
BURST
t
页面
t
块
民
2.7
2.7
150
5
典型
最大
5.5
5.5
200
6.67
单位
V
V
千赫
μs
t
fcyc
t
fcyc
t
fcyc
t
fcyc
9
4
4000
20,000
10,000
—
100,000
100
—
—
—
周期
岁月
t
D_ret
15
该时钟的频率是通过软件设置来控制。
这些值是硬件的状态机来控制。用户代码并不需要计算周期。为提供此信息
计算进行编程和擦除大致时间。
典型的耐力FLASH
该产品系列的9S12Dx64评价。有关如何附加信息
Freescale定义的耐力，请参见工程公告EB619 / D，
典型的耐力的非易失性存储器。
典型的数据保留
值是基于该技术在高温下测得的固有能力和降额
至25℃，使用Arrhenius方程。有关Freescale定义的数据保留更多的信息，请参考
工程公告EB618 / D，
典型数据保留的非易失性存储器。
MC9S08QD4系列MCU数据手册，第6
飞思卡尔半导体公司
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