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附录A电气特性
表A - 5 。直流特性（续） （温度范围= -40到125 ° C环境）
参数
高阻抗（关闭状态）漏电流（每针）
V
In
= V
DD
或V
SS
中，所有的输入/输出
内部上拉电阻
4
内部下拉电阻（ IRQ ）
输出高电压 - 低驱动（ PTxDSn = 0 ）
5 V，I
负载
= -2毫安
3 V，I
负载
= -0.6毫安
5 V，I
负载
= -0.4毫安
3 V，I
负载
= -0.24毫安
输出高电压 - 高驱动（ PTxDSn = 1 ）
5 V，I
负载
= -10毫安
3 V，I
负载
= -3毫安
5 V，I
负载
= -2毫安
3 V，I
负载
= -0.4毫安
最大总I
OH
所有端口引脚
5V
3V
输出低电压 - 低驱动（ PTxDSn = 0 ）
5 V，I
负载
= 2毫安
3 V，I
负载
- 0.6毫安
5 V，I
负载
= 0.4毫安
3 V，I
负载
= 0.24毫安
输出低电压 - 高驱动（ PTxDSn = 1 ）
5 V，I
负载
= 10毫安
3 V，I
负载
= 3毫安
5 V，I
负载
= 2毫安
3 V，I
负载
= 0.4毫安
最大总I
OL
所有端口引脚
5V
3V
直流注入电流
2, 5, 6, 7
单品限制
V
IN
＆ GT ; V
DD
V
IN
＆ LT ; V
SS
总MCU的限制，包括所有强调引脚总和
V
IN
＆ GT ; V
DD
V
IN
＆ LT ; V
SS
输入电容（所有非电源引脚）
1
2
3
4
5
6
符号
|I
OZ
|
R
PU
R
PD
民
—
17.5
17.5
V
DD
– 1.5
V
DD
– 1.5
V
DD
– 0.8
V
DD
– 0.8
典型
0.025
最大
1.0
52.5
52.5
单位
μA
kΩ
kΩ
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
100
60
1.5
1.5
0.8
0.8
1.5
1.5
0.8
0.8
100
60
V
OH
V
DD
– 1.5
V
DD
– 1.5
V
DD
– 0.8
V
DD
– 0.8
—
—
—
—
—
—
V
|I
OHT
|
mA
V
V
OL
—
—
—
—
—
—
I
OLT
mA
I
IC
0
0
—
2
–0.2
mA
0
0
C
In
—
12
–1.2
7
pF
最大的是POR保证最高电压。
RAM可以保持数据下降到POR电压。不能保证内存的数据是有效的下一个上电复位。
这个参数的特点，而不是在每个设备上进行测试。
测量条件为上拉电阻： V
In
= V
SS
对于上拉和V
In
= V
DD
为下拉。
所有的功能性非电源引脚在内部钳位到V
SS
和V
DD
.
输入电流必须限制在特定的价值网络版。确定所需的限流电阻的值，计算
电阻值，正和负钳位电压，然后使用这两个值中的较大者。
MC9S08QD4系列MCU数据手册，第6
飞思卡尔半导体公司
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