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初步数据表
MOS集成电路
MC-4R64CPE6C
直接Rambus
TM
DRAM RIMM
TM
模块
64M字节（ 32M -字×16位）
描述
EO
电路板设计技术。
直接的Rambus RIMM模块是一个通用的高性能内存模块子系统，适用于
在范围广泛的应用程序使用，包括计算机存储器，个人计算机，工作站和其他
应用中的高带宽和低延迟是必需的。
MC- 4R64CPE6C模块由四个128M直接Rambus的DRAM （ RDRAM直接）的设备（
PD488448).
这些是非常受16位组织为8M字的高速CMOS的DRAM 。采用RAMBUS信号的
级（ RSL）技术允许同时使用传统的系统和600MHz的， 711MHz或800MHz的传输速率
直接RDRAM设备能够持续数据传输，每两个字节（每个字节16 10纳秒）1.25纳秒。
直接RDRAM的架构可实现最高的持续带宽为多，同时，随机
寻址的存储器事务。独立的控制和数据总线具有独立的行和列控产量
95％以上的公交车的效率。直接RDRAM的32组支持高达每器件四个同步交易。
L
特点
64 MB直接RDRAM存储
镀金触点
串行存在检测支持
采用2.5 V电源供电
184边缘连接器垫1mm厚的焊盘间距
每个RDRAM
有32个银行， 128银行总模块
RDRAMs采用芯片级封装（ CSP ）
低功耗和掉电自刷新模式
在驱动因子（ ODF ）的支持
单独的行和列客车提高效率
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不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的尔必达内存公司的检查
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一号文件E0051N11 （ 1.1版）
（上一页第M14805EJ2V0DS00 ）
发布日期2006年2月CP （ K）
日本印刷
本产品成为了EOL于2002年5月。
Eipida
内存方面，公司2001-2006年
尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司
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