数据表

MOS集成电路

MC-458CB646

8M - WORD 64位同步动态RAM模块

无缓冲型

描述

在MC- 458CB646EFB ， MC- 458CB646PFB和MC- 458CB646XFB是8388608字由64位同步

动态内存模块上4个128M的SDRAM ：

PD45128163组装。

该模块提供了高密度和大批量的内存在小的空间，而不利用surface-

安装技术的印刷电路板。

去耦电容安装在电源线上的噪声降低。

EO

特点

产品型号

MC-458CB646EFB-A80

MC-458CB646EFB-A10

MC-458CB646PFB-A80

MC-458CB646PFB-A10

MC-458CB646XFB-A80

MC-458CB646XFB-A10

一号文件E0063N10 （第1版）

（上一页第M13049EJ8V0DS00 ）

发布日期2001年1月CP （ K）

日本印刷

8388608字由64位组织

时钟频率和访问时间从CLK

/ CAS延时

时钟频率

（ MAX 。 ）

125兆赫

100兆赫

100兆赫

77兆赫

从CLK访问时间

（ MAX 。 ）

6纳秒

6纳秒

6纳秒

7纳秒

6纳秒

6纳秒

6纳秒

7纳秒

6纳秒

6纳秒

6纳秒

7纳秒

完全同步动态RAM中，具有所有信号参考一个时钟上升沿

脉冲接口

可以断言随机列地址在每个周期中

由BA0和BA1控制四内部银行（ Bank选择）

可编程的突发长度（1， 2 ，4，8和全页）

可编程的缠绕顺序（顺序/交织）

可编程/ CAS延迟（ 2,3）

自动预充电和预充电控制

CBR （自动）刷新和自刷新

所有的DQ有10个

±

串联电阻的10％

采用3.3 V单

±

0.3 V电源

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前

证实，这是最新版本。

不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的尔必达内存公司的检查

供应及其他信息。

L

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

CL = 3

CL = 2

本产品成为了EOL 2004年3月。

尔必达内存公司是NEC公司与日立公司合资的DRAM公司

od

Pr

125兆赫

100兆赫

100兆赫

77兆赫

125兆赫

100兆赫

100兆赫

77兆赫

t

uc