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电气特性
电气特性
表3.电气特性
特征条件下V注意
IN
= 12V, V
OUT
= 42V ， ILED = 50mA时PWM = VDC1 ， M / S = VDC1 ，
PIN & NIN = VDC1 ， - 40°C
≤
T
A
≤
105 ℃下，地线= 0V ，除非另有说明。
特征
供应
电源电压
电源电流时关断模式
手册& SM总线： EN =低， SCK & SDA =低， PWM =低
IC ： EN =低， SETI C位= 1 ， CLRI C位= 0 ， PWM =低
电源电流时，睡眠模式
SM总线： EN =低， SCK & SDA =有效， SETI2C位= 0 ， PWM =低，
EN位= 0
I
2
C： EN =高， SETI
2
C位= 1 ， CLRI
2
C位= 0 ， EN位= 0 ， PWM =低
电源电流时操作模式
升压=脉冲跳跃，占空比渠道= 0 ％
手册： EN =高， SCK & SDA =低， PWM =低
SM总线： EN =低， SCK & SDA =有效， EN位= 1 ， PWM =低
I
2
C： EN =高， SETI
2
C位= 1 ， CLRI
2
C位= 0 ， EN位= 1 ， PWM =低
欠压锁定
V
IN
升起
欠压滞后
V
IN
落下
VDC1电压
(5)
C
VDC1
= 2.2μF
VDC2电压
(5)
C
VDC2
= 2.2μF
VDC3电压
(5)
C
VDC3
= 2.2μF
BOOST
输出电压范围
(6)
VIN = 7.0V
VIN = 28V
升压开关电流限制
内部FET的RDSON
I
漏
= 1.0A
升压开关断态泄漏电流
V
SWA ， SWB
= 65V
峰值提高效率
(7)
EFF
BOOST
-
90
-
%
I
BOOST_LEAK
-
-
10
V
OUT1
V
OUT2
I
FET
R
DSON
8.0
31
2.6
-
-
-
2.8
250
43
60
3.0
500
A
mΩ
V
V
DC3
2.4
2.5
2.6
V
V
DC2
5.5
6.0
6.5
V
V
DC1
2.4
2.5
2.6
V
UVLO
HYST
150
200
250
mV
UVLO
5.4
6.0
6.4
V
I
操作
-
10.0
-
mA
I
睡觉
2
2
2
符号
民
典型值
最大
单位
V
IN
I
关闭
7.0
12
28
V
-
-
-
2.0
17
3.0
-
-
-
μ
A
mA
μ
A
笔记
5.该输出是仅供内部使用，不会被用于其他目的
6.最小和最大输出电压是依赖于最小/最大占空比条件。
7.保证设计
34844
6
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
