电气特性
静态电气特性
静态电气特性
表4.静态电气特性
特征条件2.7 V下注意
≤
V
IN
≤
5.5 V ， - 20℃
≤
T
A
≤
85 ℃， GND = 0V，除非另有说明。典型
注意值反映的近似参数是指在T
A
= 25℃下的额定条件，除非另有说明。
特征
电源输入
输入电源电压的典型范围
输入直流电源电流
(9)
VIN引脚只
所有的监管机构都对，没有负载; V
IN
= 3.6 V ， FSW = 1.0兆赫
稳压器1 - 5日，第6条，第7和第8关; V
IN
= 3.6 V ， FSW = 1.0兆赫
输入直流关断电源电流
(9)
（关机，所有的监管机构关闭和V
IN
= 5.5V)
这包括连接到电池的任何销
瑞星UVLO阈值
落UVLO阈值
RST
RST低电平输出电压
I
OL
= 1.0毫安
RST漏电流，断态@ 25°C
电流限制监控
过去，短路电流限制精度
稳压器1 & VG
VG的输出电压
REG1输出
电压
(10)
输出精度
线路/负载调整
(9)
动态电压调节范围
动态电压调节步长
连续输出电流
(9)
符号
民
典型值
最大
单位
V
IN
I
IN
2.7
-
-
-
-
-
86
32
5.5
-
-
-
V
mA
I
关闭
-
UVLO
R
UVLO
F
V
RST -OL
-
I
RST - LKG
-
-
-20
-
-
-
0.4
1.0
20
-
-
-
-
-
5.0
3.0
2.7
μA
V
V
V
mA
%
V
VG
V
OUT
-
REG
LN / LD
V
DYN
V
DYN_STEP
I
OUT
I
LIM_ION
I
SHORT_ION
-
R
DS （ ON）
-
SW
R
DS （ ON）
-
SY
R
DS （ ON）
-
SH
R
DS （ ON）
-
DIS
(9)
-
-
-4.0
-1.0
-10
-
-
-
-
-20
-
-
-
-
-
-
-
-
5.0
5.0
-
-
-
2.5
100
2.7
4.0
-
100
150
100
70
170
25
-
300
-
-
4.0
1.0
10
-
500
-
-
20
-
-
-
-
-
-
1.0
-
V
V
%
%
%
%
mA
A
A
%
mΩ
mΩ
mΩ
Ω
°C
°C
μA
mA
过流限制（检测到低侧FET ）
短路电流限制（在检测阻断FET ）
过流限制精度
N-CH开关功率MOSFET
DS （ ON）
N-CH同步。功率MOSFET
DS （ ON）
N-CH关断功率MOSFET
DS （ ON）
放电MOSFET
DS （ ON）
热关断阈值
热关断
迟滞
(9)
T
SD
T
SD- HYS
I
SW1_LKG
I
PEAK
SW1漏电流（ OFF状态） @ 25°C
峰值电流检测门限在上电时
(9)
注意事项：
9，保证了设计
10.仅适用于34704A
34704
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
9
