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功能设备操作
操作模式
电流限制（ LIN中断）
输出低边FET进行保护，防止过电流
条件。如果出现过流条件（如LIN总线
短到V
BAT
） ，发射器将不被关闭。该位
LINOC在LIN状态寄存器（ LINSR ）被设置。
如果LINM位在中断设置屏蔽寄存器（ IMR ） ，
一个中断的IRQ将生成。
过温关断（ LIN中断）
输出低侧FET的保护，避免过
温度条件。在发生过温的
情况下，发射器将被关闭， LINOT位
在LIN状态寄存器（ LINSR ）被设置。
如果LINM位在中断设置屏蔽寄存器（ IMR ） ，
一个中断的IRQ将生成。
自动重新启用一次发射
条件消失了， TXD为高。
在LIN状态寄存器（ LINSR ）与TXD引脚读
高时，将重新启动发射机。
RXD短路检测（ LIN中断）
在LIN收发器具有短路检测为
RXD输出引脚。在外壳的短路状态，无论是5V
或地面，在LIN状态寄存器的RXSHORT位
（ LINSR ）设置和发送器被关闭。
如果LINM位在中断设置屏蔽寄存器（ IMR ） ，
一个中断的IRQ将生成。
自动重新启用一次发射
条件消失（ RXD上的转变）和TXD为高。
未经RXD的LIN状态寄存器（ LINSR ）的读
引脚短路状态将清除该位RXSHORT 。
TXD显性检测（ LIN中断）
在LIN收发器监控TXD输入引脚检测
卡在主导（0V）的条件。万一卡住条件
（ TXD引脚0V超过1秒（典型值） ） ，发射器
关停和LIN状态寄存器的TXDOM位
（ LINSR ）被设置。
如果LINM位在IMR设置，中断IRQ会
产生的。
自动重新启用发射一次TXD是
高。
在LIN状态寄存器（ LINSR ）与TXD引脚读
在5V电压下将清除该位TXDOM 。
LIN主导电压等级的选择
在LIN主导电压电平可通过位选择
LDVS在LIN控制寄存器（ LINCR ） 。
LIN接收操作仅
而在正常模式下， RXONLY位的激活
禁止LIN TXD驱动程序。如果箱子一个LIN错误情况，
该位被自动设置。如果选择低功率模式
与此位设置， LIN唤醒功能被禁用，
然后，在停止模式下， RXD引脚将反映的状态
LIN总线。
STOP模式和唤醒功能
在停止模式下运行，该发射器
物理层被禁用。如果LIN- PU位被设置在停止
序列模式，内部上拉电阻断开
从VSUP和小电流源保持LIN引脚中
隐性状态。接收机仍处于活动状态，并且能够
检测对LIN总线的唤醒事件。
显性电平再于T
PROPWL
随后上升
边缘将产生一个唤醒中断，并且将报
在中断源寄存器（ ISR ） 。另请参阅
图11中的
页面
19.
休眠模式和唤醒功能
在休眠模式下运行，该发射器
物理层被禁用。如果LIN- PU位被设置在
休眠模式的序列中，内部上拉电阻
从V断开
SUP
和小电流源保持
LIN引脚处于隐性状态。接收器必须处于活动状态，以
检测对LIN总线的唤醒事件。
显性电平再于T
PROPWL
随后上升
边将生成一个系统唤醒（复位） ，并且将
报道在中断源寄存器（ ISR ） 。另请参阅
图10中的
页面
19.
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模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
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