MC33690
飞思卡尔半导体公司
读功能
当应答给基站，一个
应答器产生一个吸收调制
的磁场。它导致一个幅度/
穿过的电流的相位调制
天线。此信息被拾取的
线圈与天线之间的分支点
电容。外部电阻梯子上下来
扩展此电压与相兼容的水平
解调器的输入电压范围（参见参数
V
INRD
第16页） 。
解调器（见图2 ）组成：
- 输入级（射极跟随器）
- 样品&保持电路，
- 电压跟随器，
- 低失调电压比较器。
采样时间会自动设置为取
考虑到由于公差的相移
天线元件（ L和C ）和所述的
振荡器。在测量的容许相移
输入的RD的范围从-45°到+ 45°。假设
该相位参考的下降沿
驱动信号TD1 ，这导致了一个采样时间
相位范围从-78.75 °到90 °的离散的
步骤11.25 ° 。复位条件后，在
采样时间相位为+ 11.25 ° 。
天线相移的评价是只
完成：
- 每个唤醒命令后
（见页
1012） ，
- 或复位后（见第7页） 。
这是必要的，以获得最佳的解调器
表演。
为了确保快速解调器沉降
醒来后的时间，复位或写序列中，
外部电容C
EXT
预装在其
工作电压。
此预设切换后出现256μs
在天线驱动器，其持续时间为128μs 。
唤醒或复位后，预设有相同的
持续时间，但时钟稳定后开始518μs 。
上电复位后， VSUP必须满足
最小规定值时，使所述名义
VDD的操作，预置的开始之前。
否则预设必须由用户来完成
通过待机/唤醒序列。
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WRITE功能
无论选择的配置（见
第9页） ， write函数是通过实现
接通/关断输出驱动TD1 / 2 。
一旦司机在高设置
阻抗，负载电流流交替地
图3：当所述缓冲器被切断电流流动
VDD
R
A
TD1
I
负载
L
A
R
1
VDD
C
A
TD2
摩托罗拉公司， 2002年。
摩托罗拉半导体产品
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4.8版本， 2002年2月5日
