功能说明
介绍
功能说明
介绍
该33661是一个物理层组件专用于
汽车LIN子总线的应用程序。
在33661功能包括压摆率选择
在10 kbps和20 kbps的优化运行，快速波特率
用于测试和编程模式，优秀的辐射发射
性能好，万一LIN总线短予─安全行为
在低功率模式下的地面或LIN总线泄漏。
数字输入的5.0 V和3.3 V兼容，没有任何
外部组件所需。
将INH输出可用于控制一个外部电压
稳压器或驱动LIN总线上拉电阻。
功能引脚说明
电源引脚（ VSUP ）
该VSUP电源引脚是电源引脚的
33661.该引脚通过一个串行连接到电池
二极管的反向电池保护。直流工作
电压为7.0 V至27 V.该引脚维持标准
汽车电压条件下，如在跃升 - 27 V DC
启动条件，并在负载突降40 V 。在电源电流
休眠模式通常是8.0
A.
数据输入引脚（ TXD ）
TXD输入引脚是MCU接口来控制状态
的LIN输出。当TXD为低电平， LIN输出为低电平;
当TXD为高电平时，对LIN输出晶体管截止。
阈值是3.3 V和5.0 V兼容。波特率
选择（正常或低速模式）完成在器件唤醒
由TXD引脚的状态之前，在EN引脚高电平
（见
图7
通过
12,
pp.
10–11).
接地引脚（ GND ）
在壳体的接地断开的在模块级，则
33661不具有显著上的电流消耗
LIN总线引脚隐性状态的时候。 （小于100 μA为
从LIN总线引脚，从而产生100mV的压降采购
电压从1.0 kΩ的LIN总线上拉电阻。 ）
数据输出引脚（ RXD ）
在RXD输出引脚的MCU接口，其中报告
LIN总线电压的状态。高林（隐性）是
报告RXD上的高电压; LIN低（显性）是
报告RXD上的低电压。在RXD输出结构
是CMOS型推挽式输出级。
低电平被固定。高电平是依赖于
EN电压。如果EN设置为3.3 V ， RXD V
OH
为3.3 V.如果EN为
定在5.0 V ， RXD V
OH
为5.0 V.
在睡眠模式下， RXD为高阻态。当唤醒
up事件是由WAKE引脚或LIN总线的认可
引脚， RXD被拉低上报唤醒事件。一
外部上拉电阻可能是必要的。
LIN总线引脚（ LIN ）
该I / O引脚代表单线总线发射器和
接收器。
发射机特性
LIN驱动程序是一个低侧MOSFET内部
过流热关断。内部上拉电阻，
串行二极管结构的集成，因此无需外部上拉
组件都需要用于在从属节点中的应用。
1.0 k额外的上拉电阻必须加时
该装置用于在主节点中。
电压可以从 - 18 V至40 V目前没有其他
比上拉电阻。 LIN引脚具有无反
从LIN总线电流VSUP ，即使在发生
GND移位或V
PWR
断线。
发射器有两个转换率的选择： 20 kbps的
（正常的压摆率）和10 kbps的（慢摆率） 。慢
压摆率可以被用来改善辐射发射。
接收机特性
接收阈值是成比例的设备
电源引脚。
使能输入引脚（ EN ）
EN输入引脚控制的操作模式
界面。如果EN = 1时，该接口是在正常模式下，用
到RXD传输路径从TXD到LIN和两个LIN
活跃的。阈值是3.3 V和5.0 V兼容。高
在EN级别定义在V
OH
在RXD 。休眠模式是
通过设置EN低，而TXD为高电平输入。睡眠模式
是T激活后
SD
滤波时间（见
图14 ， 11）。
INHIBIT输出引脚（ INH ）
该INH输出引脚可以有两个主要功能。它可能
可用于控制一个外部开关电压调节器
有一个禁止输入。高驱动能力也允许它
来驱动总线的外部电阻在主节点中
应用程序。这示于
图18
和
19, 17.
在睡眠模式中， INH为OFF。如果一个电压调节器
禁止输入连接到INH ，稳压器将
禁用。如果主节点上拉电阻被连接到
INH ，上拉电阻将会从LIN总线禁用。
33661
12
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
