MC33502
一般信息
该MC33502双运算放大器是唯一的
提供两个1.0 V轨至轨性能的能力
输入和输出用SMARTMOSt过程。该
在50 mV的两条轨道，并为放大器的输出摆幅
能提供的输出驱动电流为50 mA的5.0 V
电源和10 mA的1.0 V电源。 A 5.0 MHz的
带宽和3.0 V / μs的压摆率实现高
速度耗尽型NMOS （ DNMOS ）和垂直PNP
晶体管。该装置的特征在于在一个温度
范围为-40° C至105 ℃。
电路信息
输入级
输出级
轨至轨性能，在实现一伏
MC33502在输入端通过使用单一的一对耗尽的
型NMOS器件（ DNMOS ），以形成一个差动
放大器， 40为fA一个非常低的输入电流。正常
输入共模范围内的DNMOS装置，用离子
植入负阈值，包括地面，并依赖于
体效应的阈值动态地改变到
因为门是从地面走向正值
正电源。因为该设备在制造
邑阱工艺，体效应系数是足够
大，以确保在输入级将基本保持
当输入为正供电轨饱和。这也
适用于非常低的电源电压。 1.0 V电压轨至轨
输入级包括一个DNMOS差分放大器，一个
折叠级联和一个低电压平衡镜子。低
电压级联平衡镜提供了高一期
增益和基极电流消除不牺牲信号
诚信。还有，输入偏置电压被调整到小于
因为在有限的电源电压超过1.0毫伏。
输入的本体电压DNMOS差动对是
内部调整以最小化输入偏移电压。一
共模反馈通路还用于使所述
偏移电压以跟踪在输入共模电压。
总运算放大器的静态电流降
1.3毫安/放大器。
此装置的一个附加特征是一个“按需”
基极电流消除放大器。此功能提供
基极驱动到输出功率器件通过利用一个
缓冲放大器来执行一个电压 - 电流
转换。这是成正比进行的负载
条件。这种“点播”功能可以让这些
放大器消耗只有几个微安的电流的
当输出级处于其静止模式。然而，这
提供高的输出电流在负载需要时。该
轨到轨输出级电流升压电路提供
50 mA输出电流，具有5.0 V电源（对于1.0 V
电源输出级会做10 mA）的使能操作
放大器驱动600
W
负载。缓冲区是必要的
隔离在从所述输出级的负载电流的影响
输入级。因为在低电压情况下，一
DNMOS跟随器是用来提供一个基本为零
电压电平移位。这个缓冲区隔离任何负载电流
从加载的输入级到输出级的变化。一
高速垂直PNP晶体管提供了极好的
频率性能，同时输出电流。该
运算放大器也被内部补偿，以
提供60度的相位裕度。它有一个单位增益
5.0 MHz的5.0 V电源和4.0 MHz的1.0 V
供应量。
低电压操作
该MC33502将在电源电压为0.9操作
7.0 V和地面。当使用MC33502在供给
小于1.2伏，输入偏移电压的电压可
略有增加的输入信号范围内波动
大约50毫伏的正电源轨。这种效应
只发生在低于1.2 V电源电压时，由于输入
开始之间的过渡耗尽型MOSFET
饱和线性区域，应考虑
设计在操作高压侧直流传感应用
正电源轨。由于该设备是轨对轨上既
输入和输出，高动态范围的单电池
应用成为可能。
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