MC33363
电源开关被设计用来直接驱动器
变压器和能够切换最多
700 V和1.0 A.正确的设备电压缓冲和
散热需要进行可靠的操作。
前沿消隐电路被放置在当前
感测的信号路径。该电路可以防止过早复位
的PWM锁存器。过早复位产生的每个
时，将电源开关被驱动到导通状态。看来
作为整个电流检测电阻的窄电压尖峰，
其原因是由于MOSFET的栅极到源极电容，
变压器绕组间电容和输出整流器
恢复时间。前沿消隐电路具有
在于它掩盖动态行为的电流信号，直到
电源开关导通转换完成。趋势/涌流
限度的传播延迟时间的典型233纳秒。这一次是
从当出现过电流在电源测量
开关漏电极，以关断的开始。
误差放大器器
启动控制
一个完全补偿误差放大器进入
反相输入端和输出被提供给初级侧电压
传感，图17 ，设有82个典型的直流电压增益
分贝和1.0兆赫与78度的单位增益带宽
相位裕度，如图5的同相输入端是内部
偏置2.6 V
±3.1%
和不固定的。错误
放大器的输出引脚引出外部环路补偿
并作为用于直接驱动的PWM比较器的装置。该
输出的设计采用有限灌电流能力
270
毫安，
允许它可容易地与一个上拉重写
电阻器。这是可取的，因为所需要的二次应用
侧电压感测，图20在本申请中，所述电压
反馈输入连接到稳压器输出。这
通过将其输出到沉禁用误差放大器
状态，使光耦晶体管直接控制
PWM比较器。
过压保护
具有高电压的内部启动控制电路
增强型MOSFET包括内
MC33363 。该电路允许增加转换器
通过消除外部启动电阻效率，并且其
相关联的功率消耗，在最常用的
脱机转换器，利用控制器的UC3842的类型。
整流的交流线电压被施加到所述启动输入，
引脚1。这将导致MOSFET的提高和供应
内部偏置以及充电电流至V
CC
绕行
电容器连接的引脚3接地。当V
CC
达到15.2 V时， IC的UVLO阈值上限
开始运作和启动MOSFET导通
关。工作偏压现在来自于辅助
变压器绕组，并且所有的器件的功率是
从整流的交流线路有效地转化了。
启动MOSFET将提供初始的峰值电流
为20毫安，图10，它迅速减小为V
CC
和
模具温度上升。稳态电流将自
限制在8.0 mA的V范围内
CC
接地短路。该
启动MOSFET的额定电压为最大400 V与V
CC
对地短路，以及500伏的充电为V时
CC
1000电容器
mF
或更小。
调节器
低电流6.5 V稳压输出可用于
偏置误差放大器和任何附加的控制
系统电路。其能够达到10mA，并且具有
短路保护。这个输出需要一个外部
至少1.0旁路电容器
mF
为稳定。
热关断和包装
过电压保护比较器包括以
消除失控输出电压的可能性。这
条件可能发生，如果控制环反馈信号路径
由于外部部件或连接断
失败。比较器通常用于监控
一次侧V
CC
电压。当2.6 V门槛
突破，它会立即关闭电源开关，并
保护从一个严重过压状况的负荷。这
输入，也可以从外部电路驱动，以抑制
转换器操作。
欠压锁定
欠压锁定比较器一直
掺入保证该集成电路具有
足够的电压，以充分发挥作用，输出前
级被启用。在UVLO比较器监视V
CC
电压在引脚3和当它超过14.5伏，复位信号
从的的PWM锁存允许操作删除
电源开关。为了防止不稳定的开关作为阈值
越过，提供滞后5.0 V 。
内部热电路提供保护电源
切换事件的最高结温
被超过。当被激活时，通常在155℃时，锁存器是
被迫进入一个“复位”状态，禁用电源开关。该
锁存允许“设置” ，当电源开关温度
低于145C 。这个功能被提供来防止
灾难性故障意外器件过热。这是
不打算用来作为替代适当的散热。
的MC33363包含在heatsinkable塑料
在该模具上安装一个特殊的双列直插式封装
热片的铜合金引线框架。此选项卡包含的四个
中心接地引脚是专门设计的，以改善
从模头到电路板的热传导。
图15和图16示出了一个简单而有效的方法
利用印刷电路板介质作为一个散热器
通过焊接这些引脚对铜箔有足够的面积。这
允许使用标准的布局和安装做法
而有减半的结点与空气的热的能力
性。的实例是用于在一个对称的布局
单面电路板与2盎司每平方英尺的铜。
图22示出了印刷电路板的一个实际的例子
布局，利用铜箔作为散热器。记
该跳线加入到布局从销8到10中
为了提高铜区靠近设备的改进
热导率。应用电路需要两个
盎司的铜箔，以获得8.0瓦特的连续
输出功率为室温。
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