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功能说明
因此，大部分的八个输出关断负载开路故障是
容易被发现。
如果对于一个特定的输出的初始SI命令位为一
逻辑低，要求输出时被编程
上，
下一个单词的命令进入相应的位
用逻辑回报高的SO 。输出过流故障
将被指示。过流故障总是报道
所述SO输出并独立存在的逻辑状态的
在SFPD引脚。当SFPD引脚为逻辑高电平状态，
过流条件会报通过SO引脚。
然而，限制输出电流是在效果和输出是
如果允许的过流条件不操作
变频器输出到过热故障。一
过热故障将关闭特定的输出
对于影响的过热状态的持续时间。
过流和过温故障往往关系。
至于受影响的输出开关关闭，并等待
一段时间，以使输出到冷却应
这些类型的故障消失。
软
过流故障可
有时很难过短的故障来确定
过热故障通过观察所需的时间
设备恢复。然而，一般过电流和
过热故障不能正常分化
应用程序的使用。
同步串行输出的一个优点是多个
故障只能与一个（SO ）引脚被用于被检测
故障状态报告。
如果V
PWR
经历过压条件下，所有输出
将立即关闭，并保持闭锁。一
新的命令字是必需的转动输出再次打开
下面的过压条件。
漏 - 源钳位
电压（ VCL = 65 V）
漏极电压
漏电流
（ID = 0.5 A）
钳位能量
(E
J
= I
A
X V
CL
x深）
VPWR
漏 - 源开
电压（V
DS （ ON）
)
GND
当前
区（ IA ）
时间
图20.输出电压钳位
热特性
热模型
逻辑功能占用管芯的一个非常小的区域和
产生的功率可以忽略不计。与此相反，在输出晶体管
占用大部分的芯片面积，并且是主要贡献者
发电。热模型说明
图21中的
页面
21,
为33291L开发安装
在一个典型的PC板。该模型是准确的为稳定
国家和瞬态热条件。分量R
d0
通过研究
d7
代表的稳态热阻
硅芯片晶体管输出0至7 ，而C
d0
到C
d7
表示相应的热
硅电容死翻译输出和塑料。
该设备区，模具厚度确定的值
这些特定组件。
封装从内部的热阻抗
安装标志到外部环境由下式表示
该词条R
PKG
和C
PKG
。稳态热阻
引线和PC板组成的稳定状态包
热电阻R
PKG
。的热容
包是由该标志的组合电容的
与PC板。该模式的化合物，不为蓝本
的特定成分，但它是计入其它整体
元件值。
在热模型中的电池的电压代表了
环境温度的器件和印刷电路板经受
要。在我
PWR
电流源表示的总功率
耗散，并累计所述功率耗散计算
每个单独的输出晶体管的。这是很容易
通过了解完成
DS （ ON）
和负载的电流
独立输出。
非常满意的稳态和瞬态结果
经历了这种热模型。测试表明该
模型精度有不到10 ％的误差。产量
与相邻的输出的相互作用被认为是主
贡献者热误差。测试表明很少或
致远方的输出没有可检测到的热效应
晶体管分离出一个或多个其它输出。试验
输出电压钳位
该33291L的每个输出包含一个内部电压
钳提供快速关断和瞬态保护
输出。每个夹具独立地限制了漏极 - 源极
电压为53 V ，0.5 A的漏极电流和保持
从雪崩通过使瞬态输出晶体管
能量以在所述线性模式下被耗散（见
图20）。
夹紧的总能量（E
J
）可以通过计算
电流曲线下相乘的当前区域（我
A
）次
钳位电压（V
CL
）倍的夹钳是活动的持续时间
(t).
输出夹具的表征，使用单个脉冲
0.5非重复的方法，表示最大
能量为50毫焦耳每输出150C结温。
33291L
20
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
