功能说明
介绍
此外，销8的电容值应计算
以允许浪涌电流。
操作感性负载
该器件可在驱动感性负载的MOSFET
开关应用。在这种情况下，一个1.0KW电阻应
要连接的MOSFET和器件引脚的源极之间
1.电阻会限制到1脚的电流和
防止MC33198不受损坏，同时开关的感应
加载了。栅极电压内部钳位在 - 的Vbe （ 0.6V
典型的） ，并且在V
DS
被限制到V
BAT
+ V
BE
+ V
GSON
to
防止MOSFET的功耗过大。该
负载电压被限制到V
BE
+ V
GSON
并允许
合理的放电电流。
SOURCE （ PIN1 ）和漏极（ PIN2 ）
的功能
这两个引脚用来检测MOSFET和负载
条件。销2被连接到内部下拉
80毫安，并C2比较电流源。一
连接引脚2和VBAT之间的外部电阻产生
电阻两端的电压降。的电压降将
MOSFET的最大可接受的漏极到源极电压
和C2比较器门限。
引脚1连接到MOSFET的源极引脚。两
不同的情况下，应考虑MOSFET开启或关闭：
当MOSFET导通时，在正常工作
的条件下，在V
DS
应小于该电压
脚2.那么发达， C2比较器输出为低，
地位是很高的。没有电流流过该销8
电容。
如果MOSFET遇到过载，或者如果负载是
短路到地，在所述源极上的电压将跨越销2
电压和去下面这个引脚2电压，从而接通
C2比较。比较器将拉动状态引脚6
低，将使销8电容器的充电。当
在电容器上的电压达到5.5V时，比较器C3的
将切换断MOSFET通过禁用电荷泵和
该110毫安电流源。 MOSFET栅极会
仅通过10mA的电流源放电。该MOSFET
被锁断，可以通过切换打开重新打开
在输入端7至0并返回到1 。
当MOSFET关断时，我们有同样的计划。
在正常条件下，负荷应拉源
电压到Gnd ，从而C2比较器输出为高电平和状态
引脚拉低。如果负载被短路到VBAT例如
源极引脚会比脚2， C2输出高
比较低，状态引脚为高。这是
在总结
表5 ，状态功能。
表5.状态功能
输入
7针
低
低
负载
C2
状态
条件源输出
引脚6
电压COMP
正常
短路
到V
BAT
＆ LT ; V
PIN2
＆ GT ; V
PIN2
高
低
低
高
定时器
引脚8
低
通过充电
10
A
来源
低
通过充电
10
A
来源
接通
的MOSFET的开关上确保了内部
电荷泵。该电荷泵响应时间相对于
MOSFET的栅极电容中示出
表4中，动态
电气特性。
关闭
这里两种情况进行讨论：在MOSFET
正常关闭，并且根据故障关闭
条件。正常开关关闭是由内部上拉完成
向下的电流源。该值是110毫安实际上是在
一个百毫安和：两个电流源并联组成
10mA输出。 10mA的电流总是连接到
如图所示，在栅极端子4
内部框图2页。
该100毫安源可以被禁用。这是当壳体
MOSFET被故障情况下关断。该
设备将禁止百毫安电流源和
MOSFET栅极只会10mA的电流放电。
关掉MOSFET所需的时间将大大
再在这种情况下，并且将导致在一个较低的过电压
MOSFET的，尤其是当设备驱动高电感
负载。
OFF状态运行无VCC
连接
当7脚为低电平状态， MOSFET关断。如果V
BAT
是本，栅极电压由110毫安排出
电流源。在V的情况下
BAT
断开，一个自
维持5.0毫安下拉电流源的整合
该装置中，以确保MOSFET的栅极电容是
出院绑低于0.9V 。如果一个VCC的
断开，输入引脚7上的栅极电压没有影响，
这是保持在低于0.9V 。在这种情况下，状态销是
高。引脚2 （最大10mA ），低漏电流使
操作与MOSFET和MC33198管脚2永久
连接到电池。 V
CC
和其它功能可以是
从主电池线断开。看
图18 。
高
高
正常
短到GND
或过载
＆ GT ; V
PIN2
＆ LT ; V
PIN2
低
高
高
低
PWM工作模式
由于MC33198电荷泵可以提供一个高
目前， MOSFET栅极可充电速度不够快
允许PWM操作。最高PWM频率为
依赖于MOSFET的本身和主要其栅极连接到该
源电容值。根据PWM频率，
33198
12
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
