Power架构
对系统的要求。 VUSB可以通过REG_5V_IN ， VBUS ，或B +是被供电
[ 1：0] ，如图中由SPI寄存器的位VUSB_IN控制
表23
下文。
SW1
REG_5V_IN
5V_REG
LDO
VBUS
SW2
SW3
VUSB
LDO
VUSB
B+
图6： USB电源电压生成结构框图
表23. USB开关控制
参数
VUSB_IN [1 ：0]的
价值
00
01
10
11
SW1
关闭
开放
开放
开放
SW2
开放
关闭
开放
关闭
SW3
开放
开放
关闭
开放
4.2.22
VUSB稳压器
表24. VUSB控制寄存器的位分配
参数
VUSB0
价值
0
1
功能
输出= 2.775 V
输出= 3.30 V
IMAX （毫安）
50
50
该VUSB调节器的性能示于
表25 。
表25. VUSB性能规格
参数
配置规格
负载上限， CL
负载电容ESR
表现特定网络阳离子
输出电压
负载调整率
条件
民
.65
0
典型值
1.0
-
最大
6.5
0.5
单位
F
Ω
100 μA < IL < I最大，
（VOUT + 500mV的） <输入电压
VIN = VOUT 500毫伏， 100 μA < IL < I最大
NOM 。 -3 ％
-
VUSB
-
3%
0.38
毫伏/毫安
MC13883技术数据，第3版
飞思卡尔半导体公司
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