Power架构
因为稳定的适宜货币供应量M1 ， M2和M4装置的选择应慎重作出
问题。对于这些位置上推荐的设备中示出
表5 。
4.2.2
串行路径充电概述
2.2uF
VBUS （从
R3a
迷你USB
1欧姆
连接器）
2.2uF
R3b
1欧姆
M1
M2
Rs
0.1
Ω
B+
电池
M3
VC
VBUS
CHRGMODE
CHRGCTRL
到A / D
转换器输入
ICHRG
ISENSE
BPFET
Turnon信号
TO PHONE
PWR_ON
BP
BATT_FET BATTP
FET开关
CTRL逻辑
电压
误差放大器
FET_CTRL
BP_FET_BIT
BATT_FET_BIT
滴流
收费
控制
BP电压
调节器
和OV
保护
在CHRG
误差放大器
在CHRG
差动放大器
OV_ENB
4
OV_REF
+
-
OV
COMP
巴特电压
调节器
与当前
限制和
OV
保护
+
-
OC
COMP
+
-
+
-
+
-
国际人权公约
G
[3:0]
BP
REF
+
-
OC-
REF币种退房
差动放大器
+
-
电压
误差放大器
3
VB的[2：0 ]
3
ICHRG_TR [2 ：0]的
从检测
块
MC13883单芯片充电座
图4.串行路径充电框图
该串行路径充电拓扑结构的主要电荷路径B +节点和一个开关，M3，从
电池的B +节点。当电池是在3.2以上的V时，充电电流会通过经由所述电池
B +节点。如果电池电量低于3.2 V时， FET M3打开，充电路径稳压器为B +
节点，所以手机可以操作，芯片上的滴流电流路径同时对电池进行充电。这
这样，手机可以打开，即使一个深度放电的电池。
有在VBUS引脚冗余1欧姆和2.2 uF的电容所需要的部分稳定
的原因。每2.2 uF的电容应X5R或更好的为1.3 uF的一个最小电容
5伏应用。
陶瓷电容器的值是施加到其上的电压的函数。它应该是额定用于高
电压，例如20伏，以承受失败的充电器。
由于稳定性的问题适用于M1和M2的设备的选择应仔细进行。
对于这些位置上推荐的设备中示出
表5 。
MC13883技术数据，第3版
10
飞思卡尔半导体公司
