电气特性
静态电气特性
表5.静态电气特性
特征条件下注意 - 30℃
≤
T
A
≤
85
°C,
GND = 0V ，除非另有说明。典型值指出反映
近似的参数表示在T
A =
25℃的额定条件下，除非另有说明。
特征
VCAM ACTIVE模式DC （续）
短路保护阈值
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
，短路V
OUT
到GND
主动模式下静态电流
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
，IL = 0，内部的PMOS结构
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
，IL = 0，外部PNP结构
VCAM低功耗模式DC
输出电压V
OUT
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
， IL
MINLP
<白细胞介素IL <
MAXLP
电流负载范围IL
MINLP
以IL
MAXLP
低功耗模式静态电流
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
， IL = 0
VSD
工作输入电压范围V
INMIN
到V
INMAX
VSD的[2：0 ] = 010 111
VSD [ 2 ： 0 ] = 010 111 ，扩展操作
VSD的[2：0 ] = 000 ， 001 [000]英国石油公司提供
VSD的[2：0 ] = 000外部切换器提供
工作电流负载范围IL
民
以IL
最大
不超过PNP最大功率
最低旁路电容
旁路电容的ESR
10千赫-1.0兆赫
VSD ACTIVE模式DC
输出电压V
OUT
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
， IL
民
<白细胞介素IL <
最大
负载调整率
1.0毫安<白细胞介素IL <
最大
，对于任何V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
线路调整
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
，对于任意的IL
民
<白细胞介素IL <
最大
短路保护阈值
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
，短路V
OUT
到GND
主动模式下静态电流
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
， IL = 0
VSD低功耗模式DC - VSDMODE = 1
输出电压V
OUT
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
， IL
MINLP
<白细胞介素IL <
MAXLP
电流负载范围IL
MINLP
以IL
MAXLP
低功耗模式静态电流
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
， IL = 0
I
SDLO
I
SDQSLO
-
8.0
10.5
VSDLO
V
喃
-3%
0
V
喃
-
V
喃
+3%
3.0
mA
A
V
I
SDQS
-
30
45
I
SDSHT
IL
最大
+20%
-
-
A
VSDLIR
-
5.0
8.0
mA
VSDLOR
-
-
0.25
mV
VSD
V
喃
– 3%
V
喃
V
喃
+ 3%
毫伏/毫安
V
C
OSD
ESR
SD
20
-
100
I
SD
0
1.1
-
2.2
250
-
F
mΩ
V
INSD
V
喃
+0.25
UVDET
UVDET
2.15
-
-
-
2.20
4.65
4.65
4.65
4.65
mA
V
I
CAMLO
I
CAMQSLO
-
8.0
10.5
VCAMLO
V
喃
-3%
0
V
喃
-
V
喃
+3%
3.0
mA
A
V
I
CAMQS
-
-
25
30
35
45
I
CAMSHT
IL
最大
+20%
-
-
A
mA
符号
民
典型值
最大
单位
13892
18
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
