电气特性
静态电气特性
表5.静态电气特性
特征条件下注意 - 30℃
≤
T
A
≤
85
°C,
GND = 0V ，除非另有说明。典型值指出反映
近似的参数表示在T
A =
25℃的额定条件下，除非另有说明。
特征
VGEN3一般
工作输入电压范围V
INMIN
到V
INMAX
VGEN3CONFIG ， VGEN3 = 01 ， 11
VGEN3CONFIG ， VGEN3 = 00 ， 10
工作电流负载范围IL
民
以IL
最大
内部调整FET
外部PNP （不超过PNP最大功率）
最低旁路电容
内部传输设备
外部通路器件
旁路电容的ESR
10千赫-1.0兆赫
VGEN3 ACTIVE模式DC
输出电压V
OUT
VGEN2 = 000 ， 001 ， 010 ，V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
IL
民
<白细胞介素IL <
最大
负载调整率
1.0毫安<白细胞介素IL <
最大
，对于任何V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
线路调整
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
，对于任意的IL
民
<白细胞介素IL <
最大
短路保护阈值
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
，短路V
OUT
到GND
主动模式下静态电流
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
，IL = 0，内部的PMOS结构
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
，IL = 0，外部PNP结构
VGEN3低功耗模式DC
输出电压V
OUT
- （精度）
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
， IL
MINLP
<白细胞介素IL <
MAXLP
电流负载范围IL
MINLP
以IL
MAXLP
低功耗模式静态电流
V
INMIN
＆ LT ; V
IN
＆ LT ; V
INMAX
， IL = 0
充电路径稳压器
输入工作电压 - CHRGRAW
输出电压传播 - VCHRG [2：0 ] = 011 ， 1XX
充电电流1.0 mA至百毫安
充电电流100 mA和以上
V
INCHRG
BP
SP
1.5
-3.0
-
-
1.5
1.5
BATT
民
-
17
V
%
I
GEN3LO
I
GEN3QSLO
-
8.0
10.5
VGEN3LO
V
喃
-3%
0
V
喃
1.0
V
喃
+3%
3.0
mA
A
V
I
GEN3QS
-
-
25
30
35
45
V
GEN3SHT
IL
最大
+20%
-
-
A
VGEN3SHT
-
5.0
9.0
mA
VGEN3LOR
-
-
0.40
mV
VGEN3
V
喃
– 3%
V
喃
V
喃
+ 3%
毫伏/毫安
V
ESR
GEN3
20
-
100
C
OGEN3
0.65
1.1
2.2
2.2
-
-
mΩ
I
GEN3
0
0
-
-
50
200
F
V
INGEN3
V
喃
+0.2
UVDET
-
-
4.65
4.65
mA
V
符号
民
典型值
最大
单位
13892
22
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
