电气特性
动态电气特性
表6.动态电气特性
（续）
特征条件3.1 V下注意
≤
BATT
≤
4.65 V, -40
≤
T
A
≤
85 ℃， GND = 0V，除非另有说明。典型
注意值反映的近似参数是指在T
A =
25℃的额定条件下，除非另有说明。
特征
UVBUS ACTIVE模式DC
开启时间
每个USB OTG VBUS上升时间为6.5 μF + 10 μF最大负荷
打开-O FF时间
禁止以0.8 V，每个USB OTG规格参数VA_SESS_VLD ，
V
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
， IL = 0
VGEN1 ACTIVE模式 - 交
PSRR - 白细胞介素IL = 75 ％
最大
， 20赫兹到20千赫兹
V
IN
= UVDET
V
IN
= V
喃
+ 1.0 V， > UVDET
最大输出噪声 - V
IN
= V
INMIN
， IL = 0.75 * IL
最大
100赫兹 - 1.0千赫
>1.0千赫兹 - 10千赫
>10千赫 - 1.0兆赫
开启时间
让90％的终值V的
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
， IL = 0
打开-O FF时间
禁止以初始值V的10％
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
， IL = 0
瞬态负载响应 -
见瞬态波形84页
V
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
- VGEN1 [1：0 ] = 10 11中
- VGEN [1： 0] = 00 01
瞬态响应线 -
见瞬态波形84页
IL = IL 75％
最大
模式切换时间 -
见瞬态波形84页
从低功耗到主动V
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
，白细胞介素IL =
MAXLP
模式转换的响应 -
见瞬态波形84页
从低功耗到主动和积极的低功耗
V
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
，白细胞介素IL =
MAXLP
VGEN2 ACTIVE模式 - 交
PSRR - 白细胞介素IL = 75 ％
最大
， 20赫兹到20千赫兹
V
IN
= V
INMIN
+ 100毫伏
V
IN
= V
喃
+ 1.0 V
最大输出噪声 - V
IN
= V
INMIN
，白细胞介素IL =
最大
100赫兹 - 1.0千赫
>1.0千赫兹 - 10千赫
>10千赫 - 1.0兆赫
开启时间
让90％的终值V的
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
， IL = 0
关断时间（禁止初始值V的10％
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
，IL = 0）
瞬态负载响应 -
见瞬态波形84页
V
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
- VGEN2 [2：0 ] = 100 111
- VGEN2 [ 2 ： 0 ] = 000 011
瞬态响应线 -
见瞬态波形84页
IL = IL 75％
最大
V
GEN2PSSR
35
50
V
GEN2ON
–
–
–
VGEN2t
ON
–
VGEN2t
关闭
V
GEN2TLOR
–
–
V
GEN2TLIR
–
5.0
8.0
1.0
–
3.0
70
%
mV
mV
0.1
–
–
1.0
10
ms
-115
-126
-132
–
–
–
ms
40
60
–
–
的dBV / √Hz的
dB
V
GEN1PSSR
35
50
V
GEN1ON
–
–
–
VGEN1t
ON
–
VGEN1t
关闭
0.1
V
GEN1TLOR
–
–
V
GEN1TLIR
–
VGEN1t
MOD
–
V
GEN1MTR
–
1.0
2.0
–
100
%
5.0
8.0
s
1.0
–
3.0
70
%
mV
mV
–
10
–
1.0
ms
-115
-126
-132
–
–
–
ms
40
60
–
–
的dBV / √Hz的
dB
UVBUSt
ON
–
UVBUSt
关闭
–
–
1.3
–
100
美国证券交易委员会
ms
符号
民
典型值
最大
单位
MC13892
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
29
