电气特性
动态电气特性
表6.动态电气特性
（续）
特征条件3.1 V下注意
≤
BATT
≤
4.65 V, -40
≤
T
A
≤
85 ℃， GND = 0V，除非另有说明。典型
注意值反映的近似参数是指在T
A =
25℃的额定条件下，除非另有说明。
特征
VSD ACTIVE模式 - 交
PSRR - 白细胞介素IL = 75 ％
最大
， 20赫兹到20千赫兹
V
IN
= V
INMIN
+ 100毫伏
V
IN
= V
喃
+ 1.0 V
最大输出噪声 - V
IN
= V
INMIN
，IL = IL 75％
最大
100赫兹 - 1.0千赫
>1.0千赫兹 - 10千赫
>10千赫 - 1.0兆赫
导通时间（开启到90 ％最终值，V的
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
，IL = 0）
关断时间（禁止到初始值，V 10 ％
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
，IL = 0）
瞬态负载响应 -
见瞬态波形84页
V
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
- VSD [2：0 ] = 010 111
- VSD [2：0 ] = 000至001
瞬态响应线 -
见瞬态波形84页
IL = IL 75％
最大
模式切换时间 -
见瞬态波形84页
从低功耗到主动，V
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
，白细胞介素IL =
MAXLP
模式转换的响应 -
见瞬态波形84页
从低功耗到主动和积极的低功耗，V
IN
= V
INMIN
,
V
INMAX
，白细胞介素IL =
MAXLP
VUSB ACTIVE模式 - 交
PSRR - 白细胞介素IL = 75 ％
最大
， 20赫兹到20千赫兹
V
IN
= V
INMIN
+ 100毫伏
最大输出噪声 - V
IN
= V
INMIN
，IL = IL 75％
最大
100赫兹 - 50千赫
>50千赫 - 1.0兆赫
VUSB2 ACTIVE模式 - 交
PSRR - 白细胞介素IL = 75 ％
最大
， 20赫兹到20千赫兹
V
IN
= V
INMIN
+ 100毫伏
V
IN
= V
喃
+ 1.0 V
输出噪声 - V
IN
= V
INMIN
， IL = 0.75 * IL
最大
100赫兹 - 1.0千赫
>1.0千赫 - 1.0兆赫
开启时间
让90％的终值，V的
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
， IL = 0
打开-O FF时间
禁止以初始值，V 10 ％
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
， IL = 0
开机过冲
V
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
， IL = 0
瞬态负载响应 -
见瞬态波形84页
V
IN
= V
INMIN
, V
INMAX
瞬态响应线 -
见瞬态波形84页
IL = IL 75％
最大
V
USB2PSSR
35
50
V
USB2ON
–
–
VUSB2t
ON
–
VUSBt
关闭
0.1
V
USB2OS
–
V
USB2TLOR
–
V
USB2TLIR
–
5.0
8.0
1.0
2.0
mV
1.0
2.0
%
–
10
%
–
100
ms
20
0.2
–
–
分贝/月
μV / √Hz的
s
40
60
–
–
dB
V
USBPSSR
35
V
USBon
–
–
1.0
0.2
–
–
40
–
μV / √Hz的
dB
V
SDPSSR
35
50
V
SDON
–
–
–
vsdt
ON
vsdt
关闭
V
SDTLOR
–
–
V
SDTLIR
–
vsdt
MOD
–
V
SDMTR
–
1.0
2.0
–
100
%
5.0
8.0
s
1.0
–
2.0
70
%
mV
mV
–
0.1
-115
-126
-132
–
–
–
–
–
1.0
10
ms
ms
40
60
–
–
的dBV / √Hz的
dB
符号
民
典型值
最大
单位
MC13892
28
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
