表19.我
2
C信号交流规范
1
参数
符号
标准模式
民
SCL时钟频率（当源）
保持时间（重复）启动条件。
在此期间后，将产生第一个时钟脉冲
SCL时钟的低电平周期
高周期的SCL时钟
建立时间重复起始条件
数据保持时间
数据建立时间
上升时间为SDA和SCL信号
下降时间为SDA和SCL信号
一个停止和启动条件之间的总线空闲时间
容性负载为每个公交专线
1
2
快速模式
民
0
0.6
1.3
0.6
0.6
0
2
100
4
20 +
0.1C
b5
20 +
0.1C
b5
1.3
-
最大
150
-
-
-
-
0.9
3
-
300
300
-
400
单位
最大
100
-
-
-
-
3.45
3
-
1000
300
-
400
f
SCL
t
HD ; STA
t
低
t
高
t
SU ; STA
t
SHD ; DAT
t
苏： DAT
t
r
t
f
t
BUF
C
b
0
4.0
4.7
4.0
4.7
0
2
250
-
-
4.7
-
千赫
μs
μs
μs
μs
μs
ns
ns
ns
μs
pF
所有的值称为V
IHmin
和V
ILMAX
水平
设备必须在内部提供至少300 ns，以便SDA信号保持时间（相对于V
IHmin
沙中线
信号），以桥接SCL下降沿的未定义区域。
3
最大吨
HD ; DAT
只需要满足，如果设备没有延长低电平时间（T
低
）的SCL信号。
4
快速模式I2C总线器件也可在标准模式I2C总线系统中使用，但规定吨
SU ; DAT
＆ GT ; `
250纳秒
然后，必须满足。这将是自动进行的，如果器件没有延长SCL信号的低电平周期。
如果该器件延长了SCL信号，它必须输出下一个数据位到SDA线T的低电平周期
R最大
+ t
SU ; DAT
= 1000 + 250 = 1250纳秒（根据标准模式I2C总线规范）之前， SCL线
释放。
5
C =在pF的总线上的总电容。如果与高速模式的设备混合，更快下降时间是允许的。
b
11.13 FLASH技术指标
本节提供有关编程/擦除时间和程序擦除耐力的FLASH细节
内存。编程和擦除操作不需要比正常之外的任何特殊电源
V
DD
供应量。闪存是1024字节组织为80页81920个字节。 FLASH擦除和编程
可能只用CPU的时钟编程为32兆赫被执行（默认）
记
闪存擦除和程序可能只使用CPU的时钟被执行
编程为32兆赫（默认值） 。 FLASH操作硬件状态
机器控制。用户代码不需要计算周期。以下
信息提供的计算大致时间进行编程和
抹去。
MC1323x超前信息，牧师0.0
32
飞思卡尔半导体公司
