表7.直流电气特性（续）
（ VBATT = 2.7 V ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
内部上拉和下拉电阻
2
（所有端口引脚和IRQ除CMT ）
CMT内部上拉电阻
2
输出高电压
所有标准GPIO = 3毫安
CMT输出IRO能力= 20 mA
输出低电压（所有数字输出）
所有标准GPIO = 3毫安
CMT输出IRO能力= 20 mA
输入电容（所有非电源引脚）
1
2
符号
R
PU
R
PU
V
OH
民
-
-
80%
V
BATT
0
典型值
20
10
-
最大
-
-
V
BATT
单位
千欧
千欧
V
V
OL
-
20%
V
BATT
—
V
C
In
—
3
pF
虽然在V设备的功能
DD
min，供给必须首先再涨V
LVDL
。随着电源电压升高，LVD电路
将MCU保持复位状态，直到电源高于V上升
LVDL
.
测量条件为上拉电阻： V
IN
= V
SS
对于上拉和V
IN
= V
DD
为下拉。
11.5
电源电流特性
表8.电源电流特性
（ VBATT = 2.7 V ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
μA
STOP2
所有内部电路关闭，保留RAM ，基准振荡器关闭， KBI活跃。 I / O
值被锁存保持状态。 RTC关闭。 RF复位。
所有内部电路关闭，保留RAM ，基准振荡器关闭， KBI活跃。 I / O
值被锁存保持状态。 RTC与1 kHz的振荡器。 RF复位。
所有内部电路关闭，保留RAM ，基准振荡器关闭， KBI活跃。 I / O
值被锁存保持状态。 RTC上的32.768 kHz振荡器。 RF复位。
STOP3
所有内部电路关闭， RAM ， I / O ，内部寄存器&可选外设
寄存器保留， 32MHz的参考振荡器关闭， RTC关闭。 RF复位。
所有内部电路关闭， RAM ， I / O ，内部寄存器&可选外设
寄存器保留， 32MHz的参考振荡器关闭， RTC与1 kHz的振荡器。 RF复位。
所有内部电路关闭， RAM ， I / O ，内部寄存器&可选外设
寄存器保留， 32MHz的参考振荡器关闭， RTC上的32.768 kHz振荡器。在RF
复位。
LPWAIT
低功耗等待
从LPRUN进入
处理器关闭，总线时钟@ 250千赫，稳压器备用。
外围设备和调制解调器的时钟禁用。 RF复位。
LPRUN
低功耗运行
处理器被迫为500 kHz和总线时钟@ 250千赫
外围国家& RAM保留。稳压器在待机状态。
外围设备和调制解调器的时钟禁用。 RF复位。
S2I
DD
0.29
0.40
0.40
S3I
DD
0.45
0.55
μA
2.65
LPWI
DD
0.56
mA
LPRI
DD
0.76
mA
MC1323x超前信息，牧师1.2
飞思卡尔半导体公司
23
