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LTC1981/LTC1982
单路和双路微
高边开关控制器
采用SOT -23
特点
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DESCRIPTIO
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无需外部元件
内部电压Triplers生产高端
栅极驱动逻辑电平场效应管
超低功耗:
10μA每司机电流( LTC1982 )
关于20μA电流( LTC1981 )
& LT ; 1μA关断电流
V
CC
范围: 1.8V至5V
栅极驱动器输出驱动至地在
关闭
栅极驱动器输出内部钳位至7.5V最大
“门驱动器就绪”输出( LTC1981 )
超小型应用电路
5引脚SOT- 23封装( LTC1981 )
6引脚SOT- 23封装( LTC1982 )
此外,LTC
1981 / LTC1982是低功耗的,自包含
N沟道MOSFET驱动器。一个内部电压三倍
允许在不使用任何外部的驱动门
组件。内部调整电路允许quies-
分电流降至10μA每个驱动程序( 20μA的LTC1981 )
一旦门被充电。
低静态电流和低关断电流(下
1μA ),使这些器件非常适合电池和其他电源
约束系统。宽输入电压范围AC-
commodates各种电池/输入配置。
栅极驱动的内部钳位至7.5V ,提供保护
重刑外部MOSFET的栅极。这些MOSFET能
驱动或高侧或低侧的模式。
该LTC1981单一驱动程序版本还包括一个门
驱动就绪引脚和的驱动电流容量的两倍
双驱动器LTC1982 。
该LTC1981可在5引脚SOT-23封装。该LTC1982
在6引脚SOT- 23可用。
, LTC和LT是凌特公司的注册商标。
应用S
s
s
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移动电话
便携式POS终端
手持式电池供电设备
典型应用
单高侧开关控制器
V
CC
1.8V至5.0V
双通道高边开关控制器
V
CC
1.8V至5.0V
+
10F
Q1
Si3442DV
+
10F
6
V
CC
5
LTC1982
SHDN 1
1
SHDN 1
GND
2
SHDN 2
3
4
5
V
CC
100k
GDR
DRIVE
准备
SHDN
1
LTC1981
GND
2
4
负载
SHDN
3
1981/82 TA01
SHDN 2
U
Q1
1/2 Si6925DQ
Q2
1/2 Si6925DQ
GATE 1 GATE 2
负载1
负载2
1981/82 TA02
U
U
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