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VS- MBRD320PbF ， VS- MBRD330PbF ， VS- MBRD340PbF
威世半导体
160
150
肖特基整流器， 3.0一个
允许外壳温度（ ℃）
2.5
平均功耗（ W）
RMS限制
2.0
DC
140
130
120
110
100
DC
1.5
1.0
方波（ D = 0.50 ）
80 ％为V
R
应用的
见注（ 1 ）
0.5
D = 0.20
D = 0.25
D = 0.33
D = 0.50
D = 0.75
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 5 - 最大允许外壳温度对比
平均正向电流
I
F（ AV ）
- 平均正向电流（ A）
图。 6 - 正向功率损耗特性
I
FSM
- 不重复浪涌电流（A ）
1000
100
在任何额定负载条件
和额定V
RRM
应用的
以下浪涌
10
10
100
1000
10 000
t
p
- 方波脉冲持续时间（微秒）
图。 7 - 最大不重复浪涌电流
记
(1)
式中： T = - （ PD +钯
C
J
转
）个R
thJC
;
PD =正向功率损耗= I
F（ AV ）
X V
FM
在（我
F（ AV ）
/ D ） （参见图6） 。
Pd
转
=逆功率损耗= V
R1
X我
R
（ 1 - D） ;我
R
在V
R1
= 80 ％额定V
R
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4
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文档编号： 94313
修订： 14 -JAN- 11
