MBR20150CT - 双高压肖特基整流器
典型性能特性
图1.正向电流特性
图2.反向漏电流
1000
10
100
正向电流I
F
[A]
反向电流，I
R
[UA ]
10
T
J
=125 C
o
1
T
J
=125 C
T
J
=75 C
o
o
1
T
J
=75 C
o
0.1
0.1
T
J
=25 C
o
0.01
0.01
0.0
1E-3
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
T
J
=25 C
0
25
50
75
100
125
150
o
正向电压降，V
F
[V]
反向电压， V
R
[V]
图3.Junction电容
1
0.9
0.8
0.7
图4.功率降额
30
f=1mhz
[A]
Juntion电容，C
J
[ nF的]
F（ AV ）
25
0.6
0.5
0.4
0.3
DC
20
平均正向电流，I
15
10
0.2
5
0.1
0
2
4
6
8
10
0
0
25
50
75
100
o
125
150
反向电压， V
R
[V]
外壳温度，T
C
[ C]
2008飞兆半导体公司
MBR20150CT版本1.0.0
2
www.fairchildsemi.com
