新产品
膜生物反应器（F ， B） 1090 & MBR （F ， B） 10100
威世通用半导体
高压肖特基整流器
TMBS
TO-220AC
ITO-220AC
特点
沟道MOS肖特基技术
更低的功率损耗，效率高
低正向压降
高正向浪涌能力
??高频工作
2
1
2
MBR1090
MBR10100
销1
销2
1
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
245 ° C（用于TO- 263AB封装）峰
焊锡炉温度275 ° C（最大值） ， 10秒，
每JESD 22 - B106 （对于TO- 220AC和ITO - 220AC
包）
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
MBRF1090
MBRF10100
销1
销2
例
TO-263AB
K
2
1
MBRB1090
MBRB10100
销1
销2
K
散热器
典型应用
对于交换式高频整流用
电源供应器，续流二极管，直流 - 直流
转换器或极性保护应用程序。
机械数据
案例：
TO- 220AC ， ITO - 220AC ， TO- 263AB
塑封料符合UL 94 V- 0阻燃
等级
底座P / N - E3 - 符合RoHS标准，商用级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD 22 - B102
E3后缀符合JESD 201级1A晶须试验
极性：
由于标
安装扭矩：
最大10磅
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
V
F
T
J
马克斯。
10 A
90 V, 100 V
150 A
0.65 V
150 °C
最大额定值
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大重复峰值反向电压
工作峰值反向电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流在T
C
= 133 °C
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷
非重复性雪崩能量在T
J
= 25 ° C，L = 60毫亨
反向重复峰值电流
在T
p
= 2微秒， 1千赫，T
J
= 38 °C ± 2 °C
变化的电压率（额定V
R
)
隔离电压（ ITO - 220AC只）
从终端到散热片T = 1分
工作结存储温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
DC
I
F（ AV ）
I
FSM
E
AS
I
RRM
dv / dt的
V
AC
T
J
, T
英镑
MBR1090
90
90
90
10
150
130
0.5
10 000
1500
- 65至+ 150
MBR10100
100
100
100
单位
V
V
V
A
A
mJ
A
V / μs的
V
°C
文档编号： 89034
修订： 24军09
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
PDD-Americas@vishay.com ， PDD-Asia@vishay.com ， PDD-Europe@vishay.com
www.vishay.com
1
