LM2747
应用信息
（续）
P
SW
= 0.5× 3.3V X 4A ×300千赫×31纳秒
P
SW
= 61.38毫瓦
该FDS6898A具有典型导通上升时间t
r
和关断
秋季时间t
f
分别为15ns和16纳秒。开关
对于这种类型的双N沟道MOSFET的损耗
0.061W.
FET导通损耗（P
来电显示
)
P
来电显示
= P
CND1
+ P
CND2
P
CND1
= I
2OUT
个R
DS （ ON）
×k个x深
P
CND2
= I
2OUT
个R
DS （ ON）
×k个×（1 - D）的
R
DS （ ON）
= 13毫欧的因素是恒定值（ K = 1.3）
以考虑加大研发
DS （ ON）
由于隔热FET的
ING 。
P
CND1
= (4A)
2
×13毫欧X 1.3× 0.364
P
CND2
= (4A)
2
×13毫欧×1.3 ×（ 1 - 0.364 ）
P
来电显示
= 98.42 MW + 172 MW = 270.42毫瓦
有被考虑的几个额外的损失：
IC营业损失（P
IC ）
P
IC
= I
Q_VCC
X V
CC
,
在那里我
Q- VCC
是典型的工作V
CC
当前
P
IC
= 1.7毫安X 3.3V = 5.61毫瓦
FET栅极充电损耗（P
门
)
P
门
- N x垂直
CC
X Q
GS
架F
SW
P
门
= 2× 3.3V ×3 NC ×300千赫
P
门
= 5.94毫瓦
n的值是使用FET和Q的总数
GS
为
典型的栅极 - 源极的电荷值，也就是3 NC 。对于
FDS6898A的栅极充电损耗为5.94毫瓦。
输入电容损耗（P
帽
)
这里n是并联的电容器的数量， ESR是
每一个等效串联电阻，和P
帽
是耗散
而不能使每个。所以，例如，如果我们仅使用一个输入
电容器的24毫欧。
P
帽
= 88.8毫瓦
输出电感损耗（P
IND
)
P
IND
= I
2OUT
X DCR
其中DCR是直流电阻。因此，例如
P
IND
= (4A)
2
×11毫欧
P
IND
= 176毫瓦
系统的总效率
P
总
= P
FET
+ P
IC
+ P
门
+ P
帽
+ P
IND
其中，
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