富士通半导体
数据表
DS501-00008-0v01-E
FRAM内存
128K (16 K
×
8 ）位SPI
MB85RS128A
■
描述
MB85RS128A是FRAM （铁电随机存取存储器）芯片中的16384的结构
WORDS
×
8位，使用用于形成铁电过程和硅栅CMOS工艺技术
非易失性存储单元。
MB85RS128A采用串行外设接口（ SPI ） 。
该MB85RS128A能够保持数据，而无需使用后备电池，因为是需要的SRAM 。
在MB85RS128A中使用的存储单元可用于10
10
读/写操作，这是一个显著
改进了闪存和E支持的读取和写入操作次数
2
舞会。
MB85RS128A用不了多久的时间来写不同于闪存，也没有ê数据
2
PROM和MB85RS128A
不带任何等待时间。
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特点
位配置
工作电源电压
工作频率
串行外设接口
工作温度范围
数据保留
高耐用性
包
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16,384字
×
8位
3.0 V至3.6 V
25兆赫（最大）
SPI （串行外设接口）
对应于SPI模式0（0 ，0）和模式3（1 ，1）
40 °C
to
+85 °C
10年（ 55
°C)
10亿美元的读/写
8引脚塑料SOP （ FPT - 8P- M02 ）
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2011.6
