QS6K1
晶体管
开关（ 30V ， 1.0A ）
QS6K1
特点
1）低导通电阻。
2 ）内置G -S保护二极管。
3 ）小和表面贴装封装（ TSMT6 ） 。
应用
电源开关， DC / DC变换器。
外形尺寸
（单位：毫米）
TSMT6
0.3~0.6
0~0.1
(1)
(2)
(3)
2.9±0.1
1.9±0.2
0.95 0.95
(6)
(5)
(4)
1.0MAX.
0.85±0.1
0.7±0.1
2.8±0.2
1.6
+0.2
0.1
1PIN MARK
0.4
+0.1
0.05
0.16
+0.1
0.06
结构
硅N沟道
MOS FET
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： K01
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
连续
脉冲
源出电流
连续
（体二极管）
脉冲
总功率耗散（T
C
=25°C)
通道温度
储存温度
漏电流
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
等效电路
范围
30
12
±1.0
±4.0
0.8
4.0
1.25
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
(6)
(5)
(4)
(6)
(5)
(4)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
2
2
(1)
(2)
(3)
1
(1)
(2)
1
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
（1） Tr1的栅极
（2） Tr2的源
（3） Tr2的栅
（ 4 ） Tr2的漏
（ 5 ） Tr1的源代码
（ 6 ） Tr1的漏
A
保护二极管被包含在栅极和间
源端，以防止静电的二极管
电时，该产品在使用中。使用保护
当固定电压超过电路。
热阻
(Ta=25°C)
参数
渠道环境
符号
RTH （ CH -A ）
范围
100
单位
°C
/ W
Rev.A的
1/3
