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NTP75N0306,
NTB75N0306
功率MOSFET
75安培， 30伏
N沟道TO- 220和D
2
PAK
这20 V
GS
栅极驱动垂直功率MOSFET是一种通用
目的之一是提供了“最佳设计”可今天在低
耗资功率封装。这种功率MOSFET的设计可承受
高能量雪崩和减刑模式。该
漏极至源极二极管具有软恢复快速响应。
特点
http://onsemi.com
V
（ BR ） DSS
30 A
R
DS （ ON）
典型值
5.3毫瓦@ 10 V
I
D
最大
75 A
超低R
DS （ ON）
，单基地，先进的技术
可用SPICE参数
二极管电桥电路的特点是使用
I
DSS
和V
DS （ ON）
指定在高温下
高雪崩能量容量
ESD JEDAC额定HBM 1级， MM B类， CDM 0级
电源
感性负载
PWM电机控制
替换MTP1306和MTB1306
N沟道
D
1
2
4
4
2
1
3
典型应用
TO220AB
CASE 221A
风格5
3
D
2
PAK
CASE 418AA
方式2
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
4
漏
75
N0306
YWW
1
门
3
来源
G
S
75
N0306
YWW
1
门
2
漏
3
来源
2
漏
75N0306
Y
WW
=器件代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTP75N0306
NTB75N0306
NTB75N0306T4
包
TO220
D
2
PAK
D
2
PAK
航运
50单位/铁
50单位/铁
800 /磁带&卷轴
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年12月 - 第4版
出版订单号：
NTP75N0306/D
