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微处理器监控电路
MAX691A/MAX693A/MAX800L/MAX800M
RP *
CE
V
OUT
CE IN
CE OUT
CE
CE
RAM 1
R1
C1*
PFI
V
CC
V
IN
+5V
MAX691A
MAX693A
MAX800L
MAX800M
GND
CE
RAM 2
R3
R2
MAX691A
MAX693A
MAX800L
MAX800M
PFO
CE
CE
RAM 3
TO
μP
CE
RAM 4
CE
5V
PFO
0V
0V
V
= 1.25
R1 + R2
R2
GND
*可选
V
L
V
V
H
V
IN
*最大的Rp值取决于
的公绵羊的数量。
最低卢比值为1kΩ的。
ACTIVE -HIGH
CE线路
从逻辑
V
H
= 1.25/
R2 I I R3
R1 + R2 I I R3
V
L
- 1.25 + 5 - 1.25 = 1.25
R1
R3
R2
图10.备用CE门控
图11.将滞后于电源失效比较器
如果使用独立的电源为V
CC
和VBATT ,
VBATT必须小于0.3V以上V少
CC
当V
CC
is
上述复位阈值。如在previ-描述
OU的部分,如果VBATT超出此限制,功率为
在V丢失
CC
连续电流从VBATT到
V
CC
通过VBATT到-V
OUT
二极管和V
OUT
-to -V
CC
切换到该电路被断开(图8)。
使用单独的电源
对于VBATT和V
CC
+5V
R1
V
CC
PFI
PFO
备用片选控制
使用存储设备既CE和
CE
输入
允许在CE环路被旁路。要做到这一点,连续的
NECT
CE
在地面,向上拉
CE
OUT到V
OUT
CONNECT
CE
OUT的
CE
每个存储器的输入
装置(图10)。每一部分的CE输入然后
直接连接到芯片选择逻辑,它不
没有被选通。
R2
MAX691A
MAX693A
MAX800L
MAX800M
GND
V-
5V
PFO
0V
添加滞后于
电源失效比较器
滞后增加了噪声容限为电源故障的COM
parator和防止重复触发
PFO
V
IN
靠近电源失效比较器跳变点。身材
图11显示了如何添加滞后于电源故障的COM
5 - 1.25 = 1.25 - V
R1
R2
注意:
V
是负的。
V
V-
0V
图12.监测一个负电压
13
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