ICS728
L
OW
C
OST
27 MH
Z
3.3 V
OLT
VCXO
DC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％
，环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
工作电压
输出高电压
输出低电压
输出高电压（ CMOS
级）
工作电源电流
短路电流
VIN ， VCXO控制电压
符号
VDD
V
OH
V
OL
V
OH
国际直拨电话
I
OS
V
IA
条件
I
OH
= -12毫安
I
OL
= 12毫安
I
OH
= -4毫安
输出= 27 MHz时，
空载
分钟。
3.15
2.4
典型值。
马克斯。
3.45
0.4
单位
V
V
V
V
VDD-0.4
12
±50
0
3.3
mA
mA
V
AC电气特性
VDD = 3.3V ± 5 ％ ，
环境温度0 + 70 ° C，除非另有说明
参数
输出频率
水晶Pullability
VCXO增益
输出上升时间
输出下降时间
输出时钟占空比
最大输出抖动，
短期
符号
F
O
F
P
t
OR
t
OF
t
D
t
J
条件
0V< VIN < 3.3V，注1
VIN = VDD / 2 + 1 V，注1
0.8 2.0 V ，C
L
= 15 pF的
2.0 0.8 V ，C
L
= 15 pF的
测得为1.4 V ，C
L
= 15 pF的
C
L
= 15 pF的
分钟。
+ 110
典型值。
27
120
MAX 。单位
兆赫
PPM
PPM / V
1.5
1.5
ns
ns
%
ps
40
50
100
60
注1：外部晶体的设备必须与第3页上列出的可牵引晶体规格相符。
热特性
参数
热阻结到
环境
符号
θ
JA
θ
JA
θ
JA
θ
JC
条件
静止的空气中
为1m / s的空气流
3米/秒的空气流
分钟。
典型值。
150
140
120
40
MAX 。单位
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
热阻结到外壳
MDS 728 B
集成电路系统
l
5
525镭CE应力状态吨，萨圣何塞， CA 951 26
l
修订版012505
TE L（ 4 08 ） 297 201 -1
l
W W瓦特I C ST 。 C 0米
