的Quick-PWM降压型控制器，带有电感
饱和保护和动态输出电压
如果高侧MOSFET选用适当
DS （ ON）
在低电池电压变得非常热
当承受到V
IN （MAX）
，考虑选择另一个
MOSFET，具有较低的寄生电容。
为低侧MOSFET （N-
L
）最坏情况下的功率
耗散总是出现在最大电池电压：
V
2
PD （N
L
再sistive ）
=
1
OUT
(
I
负载
)
R
DS （ ON）
V
IN
绝对最差情况下MOSFET的功耗
发生重过载条件下是
比我大
LOAD （MAX）
但不够高到
超过电流限制，并导致故障锁存器跳闸。
为了防止这种可能性， “过度设计”的税务局局长
CUIT容忍：
I
LOAD （MAX）
LIR
I
负载
=
I
VALLEY （ MAX）
+
2
在那里我
VALLEY （ MAX）
是最大的谷值电流
由限流电路允许的，包括门槛
宽容和检流电阻的变化。该
MOSFET必须有一个比较大的散热片，以han-
DLE过载功率耗散。
选择一个肖特基二极管（D
L
）将正向电压
降足够低，以防止低边MOSFET的
体二极管在死区时间开启。作为
一般情况下，选择一个额定直流电流的二极管
等于三分之一的负载电流。该二极管是可选的，
如果效率不是关键的，可以除去。
压差的绝对点是电感电流时
最小关断时间内的下降（ ΔI
下
)
一样，因为它的接通时间（ ΔI期间倾斜上升
UP
） 。该
比H =
ΔI
UP
/ΔI
下
表示控制器的能力
以杀电感电流较高的响应
增加的负载，并且必须总是大于1。
接近于1 ，绝对最低点差，
电感电流可以在不增加过程中尽可能多的
每个开关周期，而V
SAG
大大增加，
除非额外的输出电容被使用。
合理的h最小值为1.5，但调整
此向上或向下允许V之间的权衡
SAG
，输出
电容和最小工作电压。对于
h的给定值，最小工作电压可以是
计算公式如下：
V
OUT
+
V
DROP1
V
IN（分钟）
=
+
V
DROP2
V
DROP1
h
×
t
关（ MIN）的
1
K
其中，V
DROP1
和V
DROP2
是寄生电压
滴在放电和充电路径（见
导通
时间触发器
（ TON ）部分） ，T
关（ MIN）的
是从
电气特性，
和K取自表3中。
绝对最小输入电压计算为H
= 1.
如果计算出的V
IN（分钟）
大于所需的
最小输入电压，则工作频率必须
减少或增加输出电容，以获得
接受V
SAG
。如果附近辍学操作anticipat-
ED ，计算出V
SAG
以确保足够的瞬态
反应。
压差设计实例如下：
V
OUT
= 2.5V
f
SW
= 300kHz的
K = 3.3μs ，最坏箱体K
民
= 3.0s
t
关（ MIN）的
= 500ns的
V
DROP1
= V
DROP2
= 100mV的
h = 1.5
2.5V
+
0.1V
+
0.1V
0.1V
=
3.47V
V
IN（分钟）
=
1
1.5
×
500ns
3.0
μ
s
MAX1992/MAX1993
应用信息
压差性能
输出电压调整范围为连续CON-
通工作是由不可调节的微型限制
MUM关断时间单稳态。为了获得最佳性能差，
使用较慢的开关频率（200kHz ）的时间设定。当工作
具有低输入电压时，极限占空比必须校准 -
culated使用最坏情况下的导通和关断时间。
制造公差和内部传播
延迟引入一个错误的TON K因子。此错误
大于在较高的频率（表3） 。另外，请
介意降压稳压的该瞬态响应性能
操作过于接近辍学器差，批量输出
放电容必须经常补充（见V
SAG
方程中的
设计步骤
部分） 。
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