双路， 180°异相， 1.4MHz的， 750毫安步骤 -
降压稳压器，带有POR和RSI / PFO
PWM比较器的反相输入端。 PWM比较
parator关闭内部高边MOSFET时，
这笔款项超过一体反馈电压。
电源失效输出
输入电压被感测为5V（典型的USB应用
而言），并且若V
CC
低于3.94V ，电源失效输出
把（ PFO）变为高电平。从PFO变为高电平的时间
走出去调节的输出取决于中的操作数
阿婷输出电压和电流，并在上游5V
总线保持电容值，这是120μF最小
（每个USB规范2.0版） 。中的操作数越低
阿婷电压和电流，并存储较高
电容器，较长的经过时间。 PFO为开
漏极开路输出，和一个10kΩ和100kΩ上拉电阻
V
CC
或任意输出，值得推荐。
MAX1970/MAX1971/MAX1972
电流限制
内部MOSFET具有1.2A （典型值）的电流限制。如果
流过的电流从LX_的超过这个最大值，
高边MOSFET关断和同步
整流MOSFET导通。这降低了占空比
并使得输出电压向下垂，直到当前
限制不再超标。还有一个同步的
-0.85A的理性整流电流限制。这是为了保护
从目前的设备流入LX_ 。如果负
电流超过限制时，同步整流器
关断时，电感电流继续流
通过高侧MOSFET的体二极管回
输入，直到下一个周期或开始时，直到
电感器电流下降到零。
上电复位
上电复位（POR）提供了一个系统复位信号。
在上电期间，
POR
保持低电平，直到两路输出
达到其稳压电压的92％，
POR
继续
要保持低的延迟期，然后进入
高。该延迟时间（T
D
）的MAX1970是16.6ms 。该
MAX1971和MAX1972具有175ms之间的延迟。身材
图2是一个时序图的一个例子。
该
POR
比较器被设计成相对
不受短期的负向输出glitch-
es.The
典型工作特性
给出了一个阴谋
最大瞬态脉冲持续时间 -
POR
比较过
驾驶。使用一个负向生成的图形
脉冲施加到一个输出端，起始于100毫伏以上的
实际
POR
阈值时，降至低于
POR
阈值
旧的百分比表示为比较过
驱动器，然后返回至100mV以上
门槛。该图显示的最大脉冲
宽度输出瞬态可以有，而不会导致
POR
跳闸低。
V
CC
脱钩
由于在高的开关频率和严格的输出
公差（ ±1％） ， IN和V之间的去耦
CC
is
推荐使用。 Connect在与之间的10Ω电阻
V
CC
和一个0.1μF的陶瓷电容， V
CC
到GND 。
把电阻和电容作为接近V
CC
as
可能。
启动
为了减少电源浪涌电流，软启动电路
在启动过程中增大输出电压。这是
通过充电在REF电容器的电流进行
来源25μA的。一旦REF达到1.2V时，输出为
在全面监管。软启动时间由下式确定：
V
t
SS
=
REF
C
REF
=
4
.
8
×
10
4
×
C
REF
I
REF
在首次上电时的软启动，而当
EN拉高电源已经存在。部分
也现身不足时，经过软启动
欠压锁定（ UVLO ）和热关断。范围
对于C电容值
REF
从0.01μF到1.0μF 。
复位输入
复位输入（RSI）是在MAX1971的输入的，
当驱动为高电平，迫使
POR
变为低电平。当RSI
变为低电平时，
POR
经过一个延迟时间相同，一
电事件。参见图2的时序图。 RSI
允许软件指挥系统复位。 RSI绝
高为1μs的时间的最小时间，以便启动
该
POR 。
欠压锁定
如果V
CC
低于2.35V时， MAX1970 / MAX1971 /
MAX1972假设电源电压太低而不能
提供一个有效的输出电压，并且UVLO电路
抑制开关。一旦V
CC
高于2.4V时，
UVLO被禁用和软启动顺序启动。
热过载保护
热过载保护限制总功率耗散
化。当IC的结温超过T
J
=
+ 170 ° C时，温度传感器关断器件，
使IC冷却。热传感器接通
再后，结温降低了一部分
20℃。这导致在脉冲输出过程中连续
过载的情况。
在热事件，
POR
变为低电平时， PFO变为高电平，
和软启动复位。
13
启用
逻辑使能输入（ EN）提供。对于正常操作
ATION ，驱动EN逻辑高电平。驾驶EN低会关闭
输出，并降低输入电源电流
大约1μA 。
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