超小型，过压保护/
检测电路
在正常操作模式中，内部GATE1输出电路
cuitry增强P1至10V的栅极 - 源极（Ⅴ
GS
）的
11V ＆ LT ; V
CC
< 72V 。不断增强10V
确保P1的运行在低R
DS -ON
模式，但
栅极 - 源极结在高并不压力过大
电池电压的应用程序或瞬变（许多MOSFET
设备指定一个± 20V V
GS
绝对最大值）。如
V
CC
低于10V GATE1仅限于GND ， reduc-
ING P1 V
GS
到V
CC
- GND 。在正常操作中的P1
功耗极低：
P1 = I
负载
2
个R
DS -ON
在反向电池的应用， GATE1被限制为
GND和P1的栅极 - 源极结反向
失之偏颇。 P1变为截止状态，而本MAX16013 /
MAX16014也不负载电路被暴露在
反向电池电压。应注意的地方
P 1（和它的内部的漏 - 源极二极管）以正确的
方向正确的电池反向操作。
P2免受输入过压条件下的负荷。
在正常操作模式（被监测的电压
低于所述调整后的过电压阈值） ，内
GATE2输出电路增强P2到一个10V的栅极 -
源（V
GS
）为11V < V
CC
< 72V 。恒10V
增强确保P2的操作在低R
DS -ON
方式，但该栅极 - 源极结是不过
在高电池电压应用强调
（很多pFET的设备指定一个± 20V V
GS
绝对MAX-
imum ） 。由于V
CC
降至10V ， GATE2为局限于
GND ，减少P2 V
GS
到V
CC
- GND 。在正常操作
化，在P2的功耗非常低：
P2 = I
负载
2
个R
DS -ON
在过压条件下， P2或者是打开的COM
pletely关（过电压开关模式）或循环脱导通
断（电压限幅器模式）。应注意，以
地点P2（和它的内部的漏 - 源极二极管）中的
正确的方向进行适当的过压保护
操作。在电压限制器模式， P2的漏极
仅限于经调整的过压阈值，而
电池（V
CC
）电压上升。在长时间的过
电压事件， P2的温度可以迅速提高
由于高功率耗散。电源dissipat-
通过P2 ED是：
P2 = V
DS-P2
X我
负载
= (V
CC
- V
OV调整
） ×1
负载
其中，V
CC
~ V
电池
和V
OV调整
是所希望的
负荷极限电压。对于长期过压事件
P2高功耗，适当的散热需要。
MAX16010–MAX16014
添加外部上拉电阻
它可能需要从添加外部电阻
V
CC
以GATE1提供足够的额外的上拉
能力当GATE1输入变为高电平。该
GATE_输出只能提供高达1μA的电流。如果
源电流小于1μA ，没有外部的电阻器
可能是必要的。然而，为了提高拉
在GATE_输出能力，当它变高，连续的
NECT V之间的外部电阻器
CC
和GATE_ 。
该应用程序显示一个2MΩ的电阻，这是大
够不影响的下沉能力
GATE_ （在正常操作期间） ，同时提供
在过压情况时不够拉。有
11V （最坏情况）V
CC
与栅钳位电压和一个
沉75μA的电流，最小电阻应
11V / 75μA ，或约147kΩ 。然而，由于GATE_
通常是低的大部分时间，较高的值应该
被用于降低整体功耗。
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