M16C / 6C集团
5.电气特性
内存扩展模式和微处理器模式
（ 2或3等待设置和访问外部区域时，使用复用总线）
读时序
V
CC1
= V
CC2
= 3V
BCLK
t
D（ BCLK -CS ）
50ns(max.)
t
H（ BCLK -CS ）
t
CYC
t
H（ RD- CS ）
(0.5 × t
CYC
-10)ns(min.)
0ns(min.)
CSI
t
D（ AD- ALE ）
(0.5 × t
CYC
-40ns(min.)
ADI
/ DBI
t
H（ ALE -AD ）
(0.5 × t
CYC
-15ns(min.)
t
DZ （ RD -AD ）
8ns(max.)
地址
数据输入
地址
t
ac3(RD-DB)
t
SU （ DB- RD ）
50ns(min.)
t
H（ RD -DB ）
0ns(min.)
{ （N - 0.5 ）×吨
CYC
-60}ns(max.)
t
D（ BCLK -AD ）
50ns(max.)
t
D（ AD- RD ）
0ns(min.)
t
H（ BCLK -AD ）
0ns(min.)
ADI
BHE
t
D（ BCLK - ALE ）
25ns(max.)
t
H（ BCLK - ALE ）
-4ns(min.)
t
H（ RD -AD ）
(0.5 × t
CYC
-10)ns(min.)
t
D（ BCLK -RD ）
40ns(max.)
t
H（ BCLK -RD ）
0ns(min.)
ALE
RD
写时序
BCLK
t
D（ BCLK -CS ）
50ns(max.)
t
CYC
(0.5 × t
CYC
-10)ns(min.)
t
H（ WR- CS ）
t
H（ BCLK -CS ）
0ns(min.)
CSI
t
D（ BCLK -DB ）
50ns(max.)
t
H（ BCLK -DB ）
0ns(min.)
ADI
/ DBI
地址
数据输出
地址
t
D（ AD- ALE ）
(0.5 × t
CYC
-40ns(min.)
t
D（ BCLK -AD ）
50ns(max.)
t
D（ DB- WR ）
{ （N - 0.5 ）×吨
CYC
-50}ns(min.)
t
H（ WR -DB ）
(0.5 × t
CYC
-10)ns(min.)
t
H（ BCLK -AD ）
0ns(min.)
ADI
BHE
t
D（ BCLK - ALE ）
25ns(max.)
t
H（ BCLK - ALE ）
-4ns(min.)
t
D（ AD- WR ）
0ns(min.)
t
H（ WR -AD ）
(0.5 × t
CYC
-10)ns(min.)
t
H（ BCLK - WR ）
0ns(min.)
ALE
WR
t
D（ BCLK - WR ）
40ns(max.)
t
CYC
=
1
f
（BCLK ）
N： 2 （ 2时等待）
3 （ 3时等待）
测量条件
V
CC1
= V
CC2
= 3V
输入时序电压： V = 0.6 V， V = 2.4 V
IL
IH
输出时序电压： V = 1.5 V， V = 1.5 V
OL
OH
图5.33
时序图
R01DS0034EJ0200 Rev.2.00
2011年2月7日
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