数据表
10V驱动N沟道MOSFET
R6046ANZ
结构
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TO-3PF
4.5
5.5
15.5
φ3.6
10.0
3.0
0.75
应用
开关
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
14.8
(1)
(2)
2.5
■特点
1）低导通电阻。
2 ）低输入电容。
3 ）高ESD 。
26.5
16.5
14.5
0.44
16.5
3.5
2.0
2.0 3.0
2.0
(3)
0.9
5.45
5.45
包装规格
TYPE
R6046ANZ
包
CODE
基本订购单位（件）
体积
-
360
内部电路
1
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
符号
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
雪崩电流
雪崩能量
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
*2 L
500H ，V
DD
= 50V ，R
G
=25, T
ch
=25°C
（ 1 ）门
（ 2 ）排水
（ 3 ）资料来源
(1)
(2)
(3)
1
体二极管
范围
600
30
46
115
46
115
23
142
120
150
55
to
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
C
C
V
DSS
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
*3
I
DP
I
S
I
SP
I
AS
E
AS
P
D
T
ch
T
英镑
*1
*3
*1
*2
*2
*4
* 3仅受最大通道温度允许的。
*4 T
C
=25°C
热阻
参数
渠道情况
符号
R
TH（ CH-C ）
范围
1.04
单位
C
/ W
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