M95160, M95080
写入存储器阵列（ WRITE ）
如图
图12 ，
该指令发送到
该装置中，芯片选择（ S）被第一从动低。该
指令字节，地址字节的位，并且在
至少一个数据字节，然后移入，串行
数据输入（ D）。
该指令由驱动芯片硒终止
择（S ）高，在输入数据的一个字节边界。
如果是
图12 ，
出现这种情况后
数据字节的第8位被锁存，在 -
dicating ，该指令被用来写
一个字节。自定时写周期的开始，
并持续一个周期t
WC
（如在指定
TA-
竹叶提取19 。
to
表23. ）
在其结束写入的
在制品（WIP ）位复位为0 。
如果，虽然，芯片选择（S）继续被驱动
低，如图
图13 ，
输入的下一个字节
数据移入，使得多于一个字节，
从给定的地址开始朝向的末端
同一页上，可以写在一个单一的内部
写周期。
图12.字节写（写）序列
每当一个新的数据字节被移位，所述至少
内部地址计数器的显著位
递增。如果数据的字节数发送到
该设备超出页面边界时，跨
最终地址计数器翻转到年初
页面，并且先前的数据有其被覆盖
10与输入数据。的（页面大小
这些设备是32字节） 。
该指令不被接受，并且是不execut-
版，在下列条件下：
- 如果写使能锁存器（ WEL ）位有没有
被设置为1（通过执行一个写使能
指令之前）
- 如果一个写周期正在进行中
- 如果设备没有被选中，通过芯片
选择（S ）被驱动为高电平，在一个字节
边界（第八位之后， B0的最后，
数据字节已被锁定在）
- 如果被寻址的页是在该区域
通过块保护（ BP1和BP0 ）保护
位。
S
0
C
指令
16位地址
数据字节
1
2
3
4
5
6
7
8
9 10
20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31
D
高阻抗
Q
15 14 13
3
2
1
0
7
6
5
4
3
2
1
0
AI01795D
注意：根据存储器大小，如图
表7 ，
最显著的地址位无关。
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