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静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS
RA07H0608M
RA07H0608M
07H0608
输出功率控制：
根据线性，以下两个方法被推荐来控制输出功率：
a）非线性调频调制：
由栅极电压（V
GG
） 。当栅极电压接近于零，RF输入信号被衰减到60分贝
并且只有很小的漏电流从电池到排流。
围绕V
GG
= 4V时，输出功率和漏电流增加时基本上。
围绕V
GG
= 4.5V （典型值） ，以V
GG
= 5V （最大） ，额定输出功率变为可用。
B）直线AM调制：
由RF输入功率P
in
。栅极电压被用于设置排水的静态电流为所需的线性度。
振荡：
为了测试RF特性，该模块被放置在一个固定的两个偏置去耦电容在每个栅极和漏极，
一个4.700 pF的片状电容器，靠近模块，和一个22 F （或更多）的电解电容器。
当围绕该模块放大器电路显示振荡，下面可以检查：
a）这些偏置去耦电容器具有低的电感通到该模块的情况下？
b）为负载阻抗Z
L
=50?
c）是源阻抗Z
G
=50?
注意事项：
1.高温度;本产品可能有发热，同时操作，请大家注意，有一个
可能收到烧伤直接触摸操作的产品或触摸的产品，直到寒冷的开关关闭后。
在不久的产品，不要将易燃材料有可能性出现的火灾。
2.代高频功率;本产品产生的高频功率。请大家注意，做
不泄漏不必要的电波，并使用该产品无损坏造成的人员和财产元
正常操作。
3.使用前;使用该产品前，请认真设计的设备，考虑人类的风险和
电波障碍的设备。
注意事项 - 三菱硅射频功率放大器装置的用途：
1，规格提都没有在这个数据表保证值。请确认其他详细信息
对于这些产品的操作从正规规格表。对于正式规范的副本
床单，请联系我们的销售办事处。
2.RA系列产品（ RF功率放大器模块）被设计为消费者的移动通信终端和
没有专门为在其它应用中使用而设计的。特别是，虽然这些产品是高度可靠的
为他们的设计的目的，它们不是下一个质量保证测试协议是足以制
来保证可靠性水平通常认为有必要对关键通信的元件。示例
关键的通信内容将包括发射基站的应用和固定站
与长期连续传输和更高的开关频率发射过程中运行的应用程序，
特别是对于系统可以具有高的冲击给社会。
3.RA系列产品采用MOSFET半导体技术。它们对ESD电压敏感，因此
适当的ESD防范措施是必需的。
4.In为了最大化设备的可靠性，最好是保持设备温度低。这是
建议利用一个足够尺寸的散热片与其它冷却方法一起按需要（风扇等）的
保持的情况下温度对RA系列产品比60deg低/℃的标准条件下，且小于
90度/ C在极端条件下。
5.RA系列产品被设计成操作成50欧姆的标称负载阻抗。下的条件
经营成一个严重的高负荷电压驻波比接近开路或短路，可能发生过负荷状态。在
最坏的情况下存在的风险为烧伤出晶体管和燃烧的其它部分，包括在所述基板
模块。
6，正式的规范包括规定的最大负荷下抵抗寄生振荡的保证
不匹配的情况。检查的寄生振荡，在我们的生产以抽样方式进行
线。所以建议验证没有寄生振荡，在已建成的设备水平上进行
也。
7.为了使这些产品的组件装到设备特定的预防措施，请参考
在规格表中的补充项目。
8.Warranty的产品是无效的，如果产品保护盖（盖）去掉，或者该产品的任何修改
从它的方式是原始的形式。
9.For额外的“安全第一”，在你的电路设计和说明有关资料，请参阅最后一页
此数据表。
10.请参考附加的注意事项，在正式的规格表。
RA07H0608M
2010年6月28日
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