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静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA07M2127M
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率和漏电流
与漏极电压
16
输出功率P
OUT
(W)
14
12
10
8
6
4
2
0
3
4
5
6
7
8
漏极电压V
DD
(V)
9
10
I
DD
f=215MHz
V
GG
=3.5V
P
in
= 20米W
P
OUT
输出功率和漏电流
与漏极电压
8
输出功率P
OUT
(W)
7
漏电流I
DD
(A)
6
5
4
3
2
1
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
3
4
5
6
7
8
漏极电压V
DD
(V)
9
10
I
DD
f=250MHz
V
GG
=3.5V
P
in
= 20米W
8
7
6
5
4
3
2
1
0
漏电流I
DD
(A)
P
OUT
输出功率和漏电流
与漏极电压
16
输出功率P
OUT
(W)
14
12
10
8
6
4
2
0
3
4
5
6
7
8
漏极电压V
DD
(V)
9
10
I
DD
f=270MHz
V
GG
=3.5V
P
in
= 20米W
P
OUT
8
7
6
5
4
3
2
1
0
漏电流I
DD
(A)
输出功率和漏电流
与栅极电压
12
输出功率P
OUT
(W)
10
8
6
4
I
DD
f=215MHz
V
DD
=7.2V
P
in
= 20米W
P
OUT
输出功率和漏电流
与栅极电压
6
输出功率P
OUT
(W)
5
漏电流I
DD
(A)
4
3
2
1
0
12
10
8
6
4
I
DD
f=250MHz
V
DD
=7.2V
P
in
= 20米W
P
OUT
6
5
4
3
2
1
0
1.5
2
2.5
3
3.5
栅极电压V
GG
(V)
4
漏电流I
DD
(A)
2
0
1.5
2
2.5
3
3.5
栅极电压V
GG
(V)
4
2
0
输出功率和漏电流
与栅极电压
12
输出功率P
OUT
(W)
10
8
6
4
2
0
1.5
2
2.5
3
3.5
栅极电压V
GG
(V)
4
I
DD
f=270MHz
V
DD
=7.2V
P
in
= 20米W
P
OUT
6
5
4
3
2
1
0
漏电流I
DD
(A)
RA07M2127M
2010年6月30日
4/9
