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静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA30H1317M
最大额定值
(T
例
= + 25 ℃，除非另有规定）
符号参数
V
DD
V
GG
P
in
P
OUT
T
案例（ OP ）
T
英镑
漏极电压
栅极电压
输入功率
输出功率
操作外壳温度范围
存储温度范围
f=135-175MHz,
Z
G
=Z
L
=50
条件
V
GG
<5V
V
DD
<12.5V ，P
in
=0mW
等级
17
6
100
45
-30到+110
-40到+110
单位
V
V
mW
W
°C
°C
上述参数是独立保证。
电气特性
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
符号参数
f
P
OUT
η
T
2f
o
ρ
in
I
GG
—
—
频带
输出功率
总有效率
2
nd
条件
民
135
30
典型值
-
-
-
-
-
1
最大
175
-
-
-35
3:1
-
单位
兆赫
W
%
dBc的
—
mA
—
—
V
DD
=12.5V,
V
GG
=5V,
P
in
=50mW
40
-
-
-
谐波
输入VSWR
栅电流
稳定性
负载VSWR容差
V
DD
= 10.0-15.2V ，P
in
=25-70mW,
P
OUT
<30W （V
GG
控制）时，负载电压驻波比= 3 ：1的
V
DD
= 15.2V ，P
in
= 50毫瓦，P
OUT
= 30W （V
GG
控制） ，
负载电压驻波比= 20 ：1的
无寄生振荡
超过-60dBc
没有退化或破坏
所有参数，条件，收视率，并限制如有变更，恕不另行通知。
RA30H1317M
2010年6月24日
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