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硅射频功率半导体
静电敏感器件
观察处理注意事项
RA45H4047M
框图
符合RoHS指令，
400-470MHZ 45W 12.5V ， 3级放大器。对于移动电
描述
该RA45H4047M是一个45瓦的射频MOSFET放大器
模块为12.5伏工作于400-到移动无线电
470 - MHz范围内。
电池可以直接连接到的漏电
增强型MOSFET晶体管。如果没有门
电压（V
GG
= 0V）时，只有很小的漏电流流入
漏极和RF输入信号衰减高达60分贝。该
输出功率和漏电流增加，作为栅极电压
增加。周围4V （最低） ，输出栅极电压
功率和漏电流大幅增加。标称
输出功率在4.5V （典型值）和5V变为可用
（最大值） 。在V
GG
= 5V ，典型栅极电流为1毫安。
这个模块是专为非线性调频调制，但
也可以通过设置排水用于线性调制
静态电流与栅极电压和控制
输出功率与输入功率。
特点
增强型MOSFET晶体管
(I
DD
0
@ V
DD
=12.5V, V
GG
=0V)
P
OUT
>45W,
η
T
>35 ％@ V
DD
=12.5V, V
GG
= 5V ，P
in
=50mW
宽带频率范围： 400-470MHZ
低功耗控制电流I
GG
= 1mA（典型值），在V
GG
=5V
模块尺寸： 66 ×21× 9.88毫米
线性操作可以通过设置静态漏
电流与栅极电压和控制输出功率
与输入功率
2
3
1
4
5
1
2
3
4
5
RF输入（P
in
)
栅极电压（V
GG
） ，功率控制
漏极电压（V
DD
） ，电池
RF输出（P
OUT
)
射频接地（CASE ）
封装代码： H2S
符合RoHS标准
RA45H4047M - 101是符合RoHS标准的产品。
符合RoHS指令是由后地块标记字母“ G”表示。
本产品包括铅在电子部件的玻璃和
铅在电子陶瓷部件。
如何以往，它适用于符合下列异常
方向。
1.Lead在阴极射线管中，电子部件的玻璃，以及
日光灯管。
2.Lead电子陶瓷部件。
订货信息：
订单号
RA45H4047M-101
供货形式
防静电托盘，
10个模块/托盘
RA45H4047M
2010年6月25日
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