操作模式
表4 。
写模式AC特性
M48Z2M1Y ， M48Z2M1V
M48Z2M1Y
符号
参数
(1)
民
t
AVAV
t
AVEH
t
AVEL
t
AVWH
t
AVWL
t
DVEH
t
DVWH
t
EHAX
t
EHDX
t
ELEH
t
WHAX
t
WHDX
t
WHQX(2)(3)
t
WLQZ(2)(3)
t
WLWH
写周期时间
地址有效到芯片使能高
地址有效到芯片使能低
地址有效到写使能高
地址有效到写使能低
输入有效到芯片使能高
输入有效到写使能高
芯片使能高到地址转换
芯片使能高到输入转换
芯片使能低到芯片使能高
写使能高到地址转换
写使能高到输入转换
写使能高到输出转换
写使能低到输出高阻
写使能脉冲宽度
55
70
65
0
65
0
30
30
15
10
55
5
0
5
25
–70
最大
M48Z2M1V
–85
民
85
75
0
75
0
35
35
15
15
75
5
0
5
30
65
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
1.有效的环境工作温度：T已
A
= 0至70℃ ; V
CC
= 4.5 5.5 V或3.0至3.6V （除非
说明） 。
2. C
L
= 5 pF的（见
图9第13页） 。
3.如果E同时变为低电平用W变为低电平时，输出保持在高阻抗状态。
2.3
数据保持方式
凭有效V
CC
应用中， M48Z2M1Y / V操作为常规单字节宽静态
内存。如果电源电压衰减时， RAM会自动掉电取消选择，写
自我保护吨
WP
经过V
CC
低于V
PFD
。所有输出变为高阻抗，以及所有
输入被视为“不关心”。
如果电源发生故障时有效的访问检测时，存储周期继续
完成。如果存储器周期未能在时刻t终止
WP
，写保护将
的地方。当V
CC
低于V
SO
时，控制电路转换的电源内部能量
源，它保存的数据。
最初申请后的内部纽扣电池将保持在M48Z2M1Y / V数据
V
CC
为至少10年当V的累积期间
CC
小于V
SO
。由于系统
电源恢复和V
CC
上升超过V
SO
时，电池被断开，并且电源
供给被切换到外部V
CC
。写保护持续吨
ER
经过V
CC
到达
V
PFD
以允许处理器稳定。吨后
ER
正常RAM操作就可以恢复。
有关电池的储存寿命的更多信息请参考应用笔记AN1012 。
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文档编号5135第5版
