操作模式
表4 。
写模式AC特性
M48Z129Y
符号
参数
(1)
民
t
AVAV
t
AVWL
t
AVEL
t
WLWH
t
ELEH
t
WHAX
t
EHAX
t
DVWH
t
DVEH
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ(2)(3)
t
AVWH
t
AVEH
t
WHQX(2)(3)
1.
2.
3.
M48Z129Y ， M48Z129V
M48Z129V
–85
单位
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
75
75
5
ns
ns
ns
ns
–70
最大
民
85
0
0
65
75
5
15
35
35
0
15
25
65
65
5
写周期时间
地址有效到写使能低
地址有效到芯片使能低
写使能脉冲宽度
芯片使能低到芯片使能高
写使能高到地址转换
芯片使能高到地址转换
输入有效到写使能高
输入有效到芯片使能高
写使能高到输入转换
芯片使能高到输入转换
写使能低到输出高阻
地址有效到写使能高
地址有效到芯片使能高
写使能高到输出转换
70
0
0
55
55
5
15
30
30
0
10
适用于工作环境温度：T已
A
= 0至70℃ ; V
CC
= 4.5 5.5 V或3.0至3.6 V （除非另有说明） 。
C
L
= 5 pF的（见
图9）。
如果E同时变为低电平用W变低时，输出保持在高阻抗状态。
2.3
数据保持方式
凭有效V
CC
应用中， M48Z129Y / V操作为常规单字节宽静态
内存。如果电源电压衰减时， RAM将自动取消，写保护
自己当V
CC
V介于
PFD
（最大值） ，V
PFD
（分钟）窗口。所有输出变为高
阻抗和所有输入都被视为“不关心” 。
注意：
在写周期，电源故障可能在当前腐败的数据处理的位置，
但不危及RAM的其余内容。在低于V的电压
PFD
（分钟），则
存储器将处于写保护状态时，设置在V
CC
下降时间不大于吨以下
F
。该
M48Z129Y / V可对V瞬态噪声尖峰回应
CC
跨到取消
时器件被采样V中的时间窗口
CC
。因此，解耦的功率的
供电线路推荐。
当V
CC
低于V
SO
时，控制电路转换的电源内部电池
保存的数据。内部能量源将保持一个在M48Z129Y / V数据
的至少10年在室温下积累周期。随着系统功率大于上升
V
SO
时，电池被断开，并且电源被切换到外部V
CC
.
取消持续吨
REC
经过V
CC
达到V
PFD
（最大值）。
有关电池的储存寿命的更多信息请参考应用笔记AN1012 。
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