操作模式
表4 。
写模式AC特性
M48Z02/M48Z12
符号
参数
(1)
民
t
AVAV
t
AVWL
t
AVEL
t
WLWH
t
ELEH
t
WHAX
t
EHAX
t
DVWH
t
DVEH
t
WHDX
t
EHDX
t
WLQZ
t
AVWH
t
AVEH
t
WHQX
写周期时间
地址有效到写使能低
地址有效到芯片使能1低
写使能脉冲宽度
芯片使能低到芯片使能高1
写使能高到地址转换
芯片使能高到地址转换
输入有效到写使能高
输入有效到芯片使能高
写使能高到输入转换
芯片使能高到输入转换
写使能低到输出高阻
地址有效到写使能高
地址有效到芯片使能高
写使能高到输出转换
60
60
5
70
0
0
50
55
0
0
30
30
5
5
25
120
120
10
–70
最大
–150
民
150
0
0
90
90
10
10
40
40
5
5
50
最大
M48Z02 ， M48Z12
–200
民
200
0
0
120
120
10
10
60
60
5
5
60
140
140
10
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
1.有效的环境工作温度：T已
A
= 0至70℃或-40至85℃ ; V
CC
= 4.75 5.5 V或4.5至5.5 V （除非
说明） 。
2.3
数据保持方式
凭有效V
CC
应用中， M48Z02 / 12作为常规的单字节宽静
内存。如果电源电压衰减时， RAM会自动掉电取消选择，写
保护自己当V
CC
属于内伏
PFD
（最大值） ，V
PFD
（分钟）窗口。所有输出
成为高阻抗，并且所有的输入都被视为“不关心”。
注意：
在写周期，电源故障可能在当前位置寻址损坏的数据，
但不危及RAM的其余内容。在低于V的电压
PFD
（分钟），则
用户可以放心的存储器将是在写保护状态，设置在V
CC
下降时间
不大于吨以下
F
。该M48Z02 / 12可对V瞬态噪声尖峰回应
CC
该河段
成在该时间取消选定窗口中的设备是取样V
CC
。因此，去耦
所述电源线中的建议。
所述电源开关电路连接外部V
CC
到RAM和断开电池
当V
CC
上升超过V
SO
。由于V
CC
上升时，电池电压被选中。如果电压
太低，内部电池不正常（ BOK ）标志将被置位。该BOK标志可查
上电后。如果BOK标志设置，尝试第一次写操作将被阻止。该标志是
第一次写操作之后自动清零，而正常的RAM运行恢复。
图7
第11页
说明了一个BOK常规检查可以构成。
关于电池储存寿命的更多信息请参考应用笔记AN1012 。
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文档编号2420版本7
