M48T201Y ， M48T201V
表2中。
模式
DESELECT
写
读
读
DESELECT
DESELECT
V
SO
到V
PFD
（分钟）
(1)
≤
V
SO(1)
4.5 V至5.5 V
or
3.0 V至3.6 V
手术
操作模式
V
CC
E
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
X
X
G
X
X
V
IL
V
IH
X
X
W
X
V
IL
V
IH
V
IH
X
X
DQ7-
DQ0
高-Z
D
IN
D
OUT
高-Z
高-Z
高-Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
CMOS待机
备用电池
1.见
表14 30页
了解详细信息。
注意：
X = V
IH
或V
IL
; V
SO
=备用电池切换电压
2.2
读取模式
该M48T201Y / V执行一个读周期，每当W（写使能）高， E（芯片
使能）是低的。由地址输入端（ A0 -A18 ）指定的唯一的地址定义了
片上TIMEKEEPER之一
寄存器或外部的SRAM单元是将被访问。
当地址提交给M48T201Y / V在7FFFFH - 7FFF0h的， 1的范围
板上TIMEKEEPER寄存器访问和有效的数据将提供给所述
T内八个数据输出驱动器
AVQV
后的地址输入信号是稳定的，所提供的
在E和G存取时间也满意。如果不是，则数据存取必须是
从后面出现的信号（E或G）的测量，并且限制参数是任一吨
ELQV
对于E或T
GLQV
对于G ，而不是地址访问时间。当芯片上的一个
被选择用于读取的G TIMEKEEPER寄存器
CON
信号仍然无效
在整个读周期。
当该地址值呈现给M48T201Y / V为的范围外
TIMEKEEPER寄存器，一个外部SRAM位置将被选择。在这种情况下，对G
信号将被发送给对G
CON
针，带T的指定的延迟时间
AOEL
或T
OERL
.
图4中。
G
CON
定时之间RTC和外部SRAM开关
地址
7FFF0h - 7FFFFH
00000H - 7FFEFh
7FFF0h - 7FFFFH
00000H - 7FFEFh
RTC
外部SRAM
RTC
外部SRAM
G
GCON
tAOEL
E
tAOEH
tOERL
卓
AI02333
11/37
