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1997年7月9日
三菱的LSI
M5M51016BTP,RT-70L,-10L-I,
-70LL,-10LL-I
1048576 - BIT （ 65536 - WORD 16位） CMOS静态RAM
+
AC电气特性
（大= - 40 85
C
, V
CC
= 5.0V _ 10％ ，除非另有说明）
o
（1）测定条件
输入脉冲电平...................... V
IH
= 2.4V, V
IL
= 0.6V
输入上升和下降时间为5ns ..............
参考电平........................ V
OH
= 1.5V, V
OL
= 1.5V
输出负载............................图1 ，C
L
=100pF(-10L,-10LL)
C
L
= 30pF的（ -70L ， -70LL ）
C
L
= 5pF的（对于T
en
, t
DIS
)
+
过渡测_为500mV从稳定
态电压。 （对于T
en
, t
DIS
)
V
CC
1.8k
DQ
990
C
L
（包括适用范围
和JIG ）
图1输出负载
（ 2 ）读周期
范围
符号
参数
M5M51016B
-70L,-70LL
民
最大
70
70
70
70
70
35
25
25
25
25
10
10
10
5
10
M5M51016B
-10L,-10LL
民
最大
100
100
100
100
100
50
35
35
35
35
10
10
10
5
10
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
CR
t
a(A)
t
a(BC1)
t
a(BC2)
t
一（CS）的
t
一个（OE）
t
dis(BC1)
t
dis(BC2)
t
DIS （ CS ）
t
DIS （ OE ）
t
en(BC1)
t
en(BC2)
t
EN（ CS ）
t
EN（ OE ）
t
V（A）
读周期时间
地址访问时间
字节1控制访问时间
字节2控制访问时间
芯片选择访问时间
输出启用访问时间
输出禁止时间后，公元前
1
高
输出禁止时间后，公元前
2
高
之后， CS为低电平输出禁止时间
OE高后输出禁止时间
公元前后的输出使能时间
1
低
公元前后的输出使能时间
2
低
之后， CS高输出使能时间
OE后低输出使能时间
地址后，数据的有效时间
（ 3 ）写周期
范围
符号
参数
M5M51016B
-70L,-70LL
民
最大
70
55
0
65
65
65
65
30
0
0
25
25
5
5
5
5
M5M51016B
-10L,-10LL
最大
民
100
75
0
85
85
85
85
40
0
0
35
35
单位
t
CW
t
w(W)
t
SU（ A）
t
SU（ A- WH ）
t
su(BC1)
t
SU（ BC2 ）
t
SU（ CS ）
t
SU（ D）
t
H（ D）
t
REC （ W）
t
DIS （ W）
t
DIS （ OE ）
t
EN（ W）
t
EN（ OE ）
写周期时间
把脉冲宽度
地址建立时间
地址设置时间就为W
控制字节1建立时间
字节控制2建立时间
芯片选择成立时间
数据建立时间
数据保持时间
写恢复时间
与W的低输出禁止时间
从OE高输出禁止时间
输出使能与W的时候
从OE低输出使能时间
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
三菱
电
4
